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TRENCH Fiches technique, PDF

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Vishay Siliconix 		VFT4060C Datasheet pdf image
128Kb/4P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
01-Jan-2022
VT1080C-E3 Datasheet pdf image
202Kb/6P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
01-Jan-2022
VBT4060C Datasheet pdf image
102Kb/4P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
01-Jan-2022
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121Kb/5P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 04-Dec-13
V15W60C-M3 Datasheet pdf image
123Kb/5P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 04-Dec-13
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123Kb/5P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 04-Dec-13
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Revision: 23-Mar-11
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81Kb/4P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 07-Dec-10
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79Kb/4P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 07-Dec-10
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128Kb/6P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 13-Dec-13
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115Kb/5P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 04-Dec-13
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120Kb/5P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 06-May-15
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Revision: 07-Dec-10
VFT3080C Datasheet pdf image
80Kb/4P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 20-Aug-15
V30D60C Datasheet pdf image
123Kb/6P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Revision: 09-Dec-13
VT3080C Datasheet pdf image
166Kb/5P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT3080C Datasheet pdf image
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01-Jan-2022
VT30L60C-E3 Datasheet pdf image
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01-Jan-2022
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143Kb/5P		 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
01-Jan-2022
VT4060C-E3 Datasheet pdf image
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01-Jan-2022

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Qu'est-ce que TRENCH

Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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