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TRENCH Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 176 (7/9) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
NXP Semiconductors
BSS84AKW Datasheet pdf image
874Kb/16P
50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-23 May 2011
2N7002CK Datasheet pdf image
83Kb/13P
60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 01-11 September 2009
PMV32UP Datasheet pdf image
978Kb/15P
20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-11 March 2011
PMF250XN Datasheet pdf image
889Kb/15P
30 V, 0.9 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-7 December 2011
BSS138BK Datasheet pdf image
865Kb/16P
60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-4 August 2011
NX3008NBKW Datasheet pdf image
879Kb/16P
30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-2 August 2011
NX3008PBK Datasheet pdf image
884Kb/16P
30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-1 August 2011
PMV160UP Datasheet pdf image
892Kb/16P
20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFET
Rev. 2-6 December 2011
2N7002BKW Datasheet pdf image
164Kb/16P
60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-17 June 2010
2N7002BKM Datasheet pdf image
356Kb/16P
60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-25 October 2010
PMV22EN Datasheet pdf image
996Kb/14P
30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-30 March 2011
NX2301P Datasheet pdf image
370Kb/16P
20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-26 October 2010
NX3008PBK215 Datasheet pdf image
884Kb/16P
30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-1 August 2011
PMV30XN Datasheet pdf image
811Kb/15P
20 V, 3.2 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-22 June 2011
BSS138PW Datasheet pdf image
358Kb/16P
60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-2 November 2010
NX3020NAKW Datasheet pdf image
258Kb/15P
30 V, 180 mA N-channel Trench MOSFET
29 October 2013
2N7002BKM Datasheet pdf image
151Kb/17P
60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-25 October 2010
PMG85XP Datasheet pdf image
730Kb/16P
20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-28 June 2011
PMV16UN Datasheet pdf image
820Kb/16P
20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-4 April 2011
PMV20XN Datasheet pdf image
819Kb/16P
30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-5 April 2011

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Qu'est-ce que TRENCH


Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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