TRENCH Datasheet(PDF) - SBRT30A45CT - Diodes Incorporated

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TRENCH Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 154 (5/8) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Diodes Incorporated	SBRT30A45CT	174Kb/5P	30A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT2M10LP	311Kb/5P	2A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT6U45LP	433Kb/5P	6A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT60U50CT	155Kb/5P	60A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT3M60SA	640Kb/5P	3A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER April 2021
	SBRT4U10LP	495Kb/5P	4A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER April 2021
	SBRT4U15LP	523Kb/5P	4A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER April 2021
	SBRT4U30LP	680Kb/5P	4A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER August 2022
	SBRT05U20LP	450Kb/5P	0.5A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER April 2021
	B540CX	637Kb/5P	5A TRENCH SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER SMC December 2022 Rev. 2 - 2
	SDT10100P5	624Kb/5P	10A TRENCH SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER PowerDI5 March 2018 Rev. 3 - 2
	SDT3A45SAF	445Kb/5P	3A TRENCH SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER SMAF December 2019 Rev. 3 - 2
	SBRT3M30LP	204Kb/5P	3A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT5A50SAF	465Kb/4P	5A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT60U60CT	157Kb/5P	60A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT2U45LP	538Kb/5P	2A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT3M40SA	251Kb/4P	3A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT20V60CT	143Kb/5P	20A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT30U45CT	265Kb/5P	30A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
	SBRT3U45SA	251Kb/4P	3A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER

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Qu'est-ce que TRENCH

Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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