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TRENCH Fiches technique, PDF

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Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 176 (5/9) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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NXP Semiconductors 		NX7002AKW Datasheet pdf image
207Kb/14P		 60 V, single N-channel Trench MOSFET
11 July 2012
PMDXB600UNE Datasheet pdf image
257Kb/15P		 20 V, dual N-channel Trench MOSFET
1 July 2015
PMDPB70XPE Datasheet pdf image
822Kb/15P		 20 V dual P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-20 June 2012
PMDPB70XP Datasheet pdf image
1Mb/15P		 30 V, dual P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-9 March 2012
PMDXB550UNE Datasheet pdf image
245Kb/15P		 30 V, dual N-channel Trench MOSFET
25 March 2015
PMDPB55XP Datasheet pdf image
884Kb/15P		 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
Rev. 3-4 June 2012
PMN40UPE Datasheet pdf image
206Kb/14P		 20 V, single P-channel Trench MOSFET
13 August 2012
PMPB48EP Datasheet pdf image
242Kb/14P		 30 V, single P-channel Trench MOSFET
10 September 2012
PMPB23XNE Datasheet pdf image
255Kb/14P		 20 V, single N-channel Trench MOSFET
30 November 2012
PMZB350UPE Datasheet pdf image
197Kb/14P		 20 V, single P-channel Trench MOSFET
1 August 2012
BSS138AKA Datasheet pdf image
255Kb/16P		 60 V, single N-channel Trench MOSFET
29 April 2015
NX7002BKS Datasheet pdf image
301Kb/16P		 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
12 May 2015
PMN70XPEA Datasheet pdf image
284Kb/16P		 20 V, single P-channel Trench MOSFET
19 June 2014
PMDXB1200UPE Datasheet pdf image
242Kb/15P		 30 V, dual P-channel Trench MOSFET
25 March 2015
PMPB43XPE Datasheet pdf image
264Kb/15P		 20 V, single P-channel Trench MOSFET
26 November 2014
PMDPB58UPE Datasheet pdf image
880Kb/15P		 20 V dual P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-19 June 2012
PMN70XPE Datasheet pdf image
209Kb/14P		 20 V, single P-channel Trench MOSFET
6 July 2012
PMF87EN Datasheet pdf image
205Kb/14P		 30 V, single N-channel Trench MOSFET
1 August 2012
PMPB12UN Datasheet pdf image
239Kb/15P		 20 V single N-channel Trench MOSFET
6 July 2012
NX3020NAK Datasheet pdf image
256Kb/15P		 30 V, single N-channel Trench MOSFET
29 October 2013

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Qu'est-ce que TRENCH

Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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