TRENCH Datasheet(PDF) - MDIS1501 - MagnaChip Semiconductor.

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TRENCH Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 127 (4/7) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
MagnaChip Semiconductor...	MDIS1501	710Kb/5P	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 67.4A, 5.6m(ohm)
	MDP15N075	862Kb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 150V, 120A, 7.5m(ohm)
	MDS1521	682Kb/5P	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 28.2A, 4.0m(ohm)
	MDV3604	1Mb/6P	Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 12.1m(ohm)
	MDP1723	1Mb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m(ohm)
	MDV10N1K1	948Kb/5P	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.3A, 110m(ohm)
	MDU3601	1,021Kb/6P	Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -85A, 2.9m(ohm)
	MDP06N090	949Kb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 60V, 62A, 9.0m(ohm)
	MDS1526	670Kb/5P	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16.1A, 11.0m(ohm)
	MDS1652	705Kb/6P	Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 17A, 6.5m(ohm)
	MDS5601	678Kb/6P	Dual N-channel Trench MOSFET 30V, 12.9A, 10.5m(ohm)
	MDU1512	1Mb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 100.0A, 3.4m(ohm)
	MDU1517	751Kb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 100.0A, 2.9m(ohm)
	MDV1522	855Kb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 28A, 4.9m(ohm)
	MDV1524	855Kb/7P	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 24A, 8.1m(ohm)
	MDD1902	904Kb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 28m(ohm)
	MDS1527	740Kb/5P	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 13.1A, 15.9m(ohm)
	MDS3603	700Kb/7P	Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -12A, 10.1m(ohm)
	MDP10N055	1Mb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 5.5m(ohm)
	MDP10N027	930Kb/6P	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 2.8m(ohm)

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Qu'est-ce que TRENCH

Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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