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TRENCH Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 127 (3/7) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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MagnaChip Semiconductor...
MDS1524 Datasheet pdf image
667Kb/5P
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 19.3A, 8.1m(ohm)
MDU1931 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 80V, 100A, 3.6m(ohm)
MDV1595S Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 36.1A, 10.7m(ohm)
MDS3651 Datasheet pdf image
852Kb/6P
Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -6.0A, 35m(ohm)
MDS3652 Datasheet pdf image
906Kb/6P
Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -11A, 17m(ohm)
MDE10N026RH Datasheet pdf image
900Kb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 2.6m(ohm)
MDS1101 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 12V, 15A, 8m(ohm)
MDD1904 Datasheet pdf image
1,023Kb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 100V, 10.8A, 140m(ohm)
MDD1951 Datasheet pdf image
929Kb/6P
Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 17.9A, 45.0m(ohm)
MDS1651 Datasheet pdf image
647Kb/6P
Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 11.6A, 17m(ohm)
MDS1656 Datasheet pdf image
695Kb/6P
Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 7.2A, 28m(ohm)
MDS1951 Datasheet pdf image
813Kb/6P
Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 6A, 45m(ohm)
MDS3604 Datasheet pdf image
699Kb/6P
Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -11A, 12.1m(ohm)
MDU1511 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 100.0A, 2.4m(ohm)
MDU1514 Datasheet pdf image
716Kb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 66.3A, 6.0m(ohm)
MDU3605 Datasheet pdf image
767Kb/6P
Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -35.6A, 17.0m(ohm)
MDV1525 Datasheet pdf image
856Kb/7P
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 24A, 10.1m(ohm)
MDV1527 Datasheet pdf image
861Kb/7P
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 20A, 15.9m(ohm)
MDD1503 Datasheet pdf image
1,015Kb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 87.5A, 4.7m(ohm)
MDF1921 Datasheet pdf image
985Kb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 100V, 60A, 4.8m(ohm)

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Qu'est-ce que TRENCH


Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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