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TRENCH Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 46 (2/3) Pages
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Thinki Semiconductor Co...
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70V,80A N-Channel Trench Process Power MOSFET
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85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETs
TSP01H12 Datasheet pdf image
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100V,118A N-Channel Trench Process Power MOSFETs
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100V,180A N-Channel Shielded Gate Trench MOSFETs
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ThinkiSemi 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETs
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20Ampere,60Volt Insulated Common Cathode Trench Schottky Barrier Rectifier Diodes
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15 Ampere,50 Volt Trench Process Low Vf Schottky Barrier Rectifier
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15 Ampere,50 Volt Trench Process Low Vf Schottky Barrier Rectifier
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15 Ampere,50 Volt Trench Process Low Vf Schottky Barrier Rectifier
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Qu'est-ce que TRENCH


Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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