TRENCH Datasheet(PDF) - APTGT100DH120TG - Microsemi Corporation

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TRENCH Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 316 (10/16) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Microsemi Corporation	APTGT100DH120TG	258Kb/5P	Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT150DH120G	250Kb/5P	Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT300SK120G	245Kb/5P	Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT30DDA60T3G	263Kb/5P	Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT50DU170TG	259Kb/5P	Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT75SK120TG	257Kb/5P	Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT150DU170G	246Kb/5P	Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT100TA60PG	258Kb/5P	Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT200DU60TG	259Kb/6P	Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT100A120TG	257Kb/5P	Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT30DSK60T3G	264Kb/5P	Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT50DDA60T3G	263Kb/5P	Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT50H120T3G	264Kb/5P	Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT75A120TG	258Kb/5P	Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT75DA120TG	257Kb/5P	Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT75DDA60T3G	264Kb/6P	Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT75TA60PG	257Kb/5P	Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT150SK120G	245Kb/5P	Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT400DA120G	245Kb/5P	Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
	APTGT100DSK60T3G	266Kb/5P	Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

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Qu'est-ce que TRENCH

Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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