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TRENCH Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 72 (1/4) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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NXP Semiconductors
PMPB40SNA Datasheet pdf image
273Kb/15P
60 V N-channel Trench MOSFET
2 July 2013
PMXB56EN Datasheet pdf image
276Kb/15P
30 V, N-channel Trench MOSFET
25 September 2013
PMT200EN Datasheet pdf image
220Kb/13P
100 V N-channel Trench MOSFET
25 October 2012
PMPB11EN Datasheet pdf image
1Mb/15P
30 V N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-16 May 2012
PMPB20EN Datasheet pdf image
1Mb/15P
30 V N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-16 May 2012
PMT760EN Datasheet pdf image
219Kb/13P
100 V N-channel Trench MOSFET
25 October 2012
PMXB120EPE Datasheet pdf image
252Kb/15P
30 V, P-channel Trench MOSFET
24 September 2013
PMXB360ENEA Datasheet pdf image
225Kb/15P
80 V, N-channel Trench MOSFET
16 September 2013
PMZ130UNE Datasheet pdf image
233Kb/14P
20 V, N-channel Trench MOSFET
12 March 2015
PMXB40UNE Datasheet pdf image
261Kb/15P
12 V, N-channel Trench MOSFET
27 September 2013
PMXB43UNE Datasheet pdf image
253Kb/15P
20 V, N-channel Trench MOSFET
19 September 2013
PMXB350UPE Datasheet pdf image
241Kb/15P
20 V, P-channel Trench MOSFET
19 September 2013
PMZB290UNE2 Datasheet pdf image
230Kb/16P
20 V, N-channel Trench MOSFET
24 March 2015
PMZB320UPE Datasheet pdf image
227Kb/15P
30 V, P-channel Trench MOSFET
24 March 2015
PMXB65ENE Datasheet pdf image
247Kb/15P
30 V, N-channel Trench MOSFET
4 September 2013
2N7002BKMB Datasheet pdf image
667Kb/15P
60 V, single N-channel Trench MOSFET
Rev. 2-13 June 2012
NX3008NBKMB Datasheet pdf image
1Mb/15P
30 V, single N-channel Trench MOSFET
Rev. 1-11 May 2012
NX3008PBKMB Datasheet pdf image
1Mb/15P
30 V, single P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-11 May 2012
PMDPB70XP Datasheet pdf image
845Kb/15P
30 V, dual P-channel Trench MOSFET
Rev. 1-9 March 2012
PMPB15XP Datasheet pdf image
260Kb/14P
12 V, single P-channel Trench MOSFET
19 July 2012

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Qu'est-ce que TRENCH


Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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