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TRENCH Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 42 (1/3) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Stanson Technology
STC6332 Datasheet pdf image
421Kb/9P
The STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology.
ST2318SRG Datasheet pdf image
221Kb/7P
ST2318SRG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STP4403 Datasheet pdf image
321Kb/6P
STP4403 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.
ST2319SRG Datasheet pdf image
229Kb/8P
ST2319SRG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STP9434 Datasheet pdf image
314Kb/6P
STP9434 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.
STP9235 Datasheet pdf image
331Kb/6P
STP9235 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.
STP9527 Datasheet pdf image
927Kb/7P
STP9527 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
ST2315SRG Datasheet pdf image
218Kb/6P
ST2315SRG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STP7401 Datasheet pdf image
461Kb/6P
STP7401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
ST3401SRG Datasheet pdf image
212Kb/6P
ST3401RSG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density DMOS trench technology.
ST3406SRG Datasheet pdf image
325Kb/6P
ST3406SRG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STP9437 Datasheet pdf image
375Kb/6P
STP9437 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
ST3422A Datasheet pdf image
338Kb/6P
The ST3422A is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STN4346 Datasheet pdf image
352Kb/7P
STN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STN4426 Datasheet pdf image
362Kb/6P
STN4426 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STP6308 Datasheet pdf image
420Kb/6P
STP6308 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STN4392 Datasheet pdf image
383Kb/7P
STN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STN4480 Datasheet pdf image
742Kb/6P
STN4480 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STN4850 Datasheet pdf image
532Kb/6P
STN4850 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
STN1810 Datasheet pdf image
966Kb/7P
STN1810 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.

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Qu'est-ce que TRENCH


Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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