TRENCH Datasheet(PDF) - RJP30H2DPK-M0-11 - Renesas Technology Corp

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TRENCH Fiches technique, PDF

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Mot-clé recherché : 'TRENCH' - Totale: 20 (1/1) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	RJP30H2DPK-M0-11	159Kb/6P	Trench gate and thin wafer technology
	HVL148	155Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVD148	50Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVD144A	79Kb/6P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVL147	82Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVD147	82Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVL147M	161Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVD135	80Kb/8P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	RKP201KN	158Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	RKP201KL	63Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	RKP201KK	64Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVL138A	153Kb/6P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	RKP203KN	159Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVL144AM	163Kb/6P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	RKP201KM	159Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	RKP202KN	159Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVD138A	153Kb/6P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVD138	159Kb/8P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVL144A	67Kb/6P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
	HVL147	56Kb/5P	Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching

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Qu'est-ce que TRENCH

Trench est l'une des technologies de fabrication de composants électroniques et est utilisée dans le processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Trench Technology est une technologie développée pour améliorer les performances électriques des appareils semi-conducteurs.

La technologie de la tranchée repense la structure des appareils semi-conducteurs pour améliorer la génération de chaleur et la dégradation des performances des appareils.

Avec la technologie des tranchées, une petite fosse (tranchée) peut être creusée à l'intérieur d'un dispositif semi-conducteur pour augmenter la surface de l'appareil.

Cela améliore les performances électriques car le chemin par lequel le courant circule est plus court.

La technologie des tranchées est principalement utilisée dans les dispositifs semi-conducteurs à haute performance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique).

Ces dispositifs semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits électroniques à grande vitesse, les dispositifs de conversion d'alimentation et les dispositifs de commande automobile.

Trench Technology joue un rôle très important dans l'industrie des composants électroniques modernes car elle améliore les performances et l'efficacité des appareils.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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