SRAM Datasheet(PDF) - UPD4481162 - NEC

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SRAM Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'SRAM' - Totale: 31 (1/2) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	UPD4481162	404Kb/28P	8M-BIT ZEROSB SRAM PIPELINED OPERATION
	UPD44321182	299Kb/24P	32M-BIT ZEROSB SRAM PIPELINED OPERATIO
	UPD4481161	326Kb/28P	8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION
	UPD44321181	299Kb/24P	32M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION
	UPD44165082	385Kb/32P	18M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
	UPD44324084	352Kb/32P	36M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERAT
	UPD44324082	396Kb/40P	36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
	UPD44164082	282Kb/32P	18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
	UPD44164084	394Kb/32P	18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
	UPD44325082	357Kb/32P	36M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
	UPD44325084	377Kb/36P	36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
	UPD44165084	392Kb/32P	18M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
	UPD4482161	370Kb/28P	8M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST SRAM FLOW THROUGH OPERATION
	UPD434016A	448Kb/14P	4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT
	UPD444004	116Kb/16P	4M-BIT CMOS FAST SRAM 1M-WORD BY 4-BIT
	UPD444008L	102Kb/16P	4M-BIT CMOS FAST SRAM 512K-WORD BY 8-BIT
	UPD444004L	100Kb/16P	4M-BIT CMOS FAST SRAM 1M-WORD BY 4-BIT
	UPD444016	101Kb/6P	4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT
	UPD4416016	92Kb/12P	16M-BIT CMOS FAST SRAM 1M-WORD BY 16-BIT
	UPD444016L	102Kb/16P	4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT

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Qu'est-ce que SRAM

SRAM signifie «mémoire d'accès aléatoire statique» et est l'un des composants électroniques pour stocker les données.

Contrairement à DRAM, SRAM n'a pas besoin de mettre à jour constamment les données.

SRAM est relativement rapide et peut fonctionner avec une faible puissance, il est donc largement utilisé lorsque l'accès rapide aux données est requis, tels que les souvenirs et les registres de cache informatique.

De plus, comme SRAM stocke les données comme signaux électriques directs, il peut conserver les données même lorsque l'alimentation est coupée.

SRAM est composé de transistors et de condensateurs.

Chaque cellule est composée d'une combinaison d'un transistor et d'un condensateur, et le transistor est utilisé pour stocker des données.

SRAM offre une vitesse et des performances élevées avec une petite capacité et est utilisée dans divers domaines tels que les caches CPU, les cartes graphiques et les routeurs.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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