SCHOTTKY Datasheet(PDF) - UJ3D06506TS - UnitedSiC.

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SCHOTTKY Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'SCHOTTKY' - Totale: 32 (1/2) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
UnitedSiC.	UJ3D06506TS	388Kb/5P	6A - 650V SiC Schottky Diode Rev. A, September 2018
	UJ3D06512TS	272Kb/6P	12A - 650V SiC Schottky Diode Rev. A, June 2019
	UJ2D1220K	520Kb/4P	20A - 1200V SiC Schottky Diode Rev. B, October 2016
	UJ2D1230K	517Kb/4P	30A - 1200V SiC Schottky Diode Rev. B, October 2016
	UJ3D1250K2	315Kb/6P	50A -1200V SiC Schottky Diode Rev. B, April 2020
	UJD06508TS	514Kb/4P	8A - 650V SiC Schottky Diode Rev. B, November 2016
	UJD06516K	527Kb/4P	16A - 650V SiC Schottky Diode Rev 1.02
	UJ3D06520KSD	558Kb/5P	20A - 650V SiC Schottky Diode Rev. B, April 2018
	UJ3D1210K2	310Kb/6P	10A -1200V SiC Schottky Diode Rev. B, April 2020
	UJ3D1210KS	326Kb/6P	10A -1200V SiC Schottky Diode Rev. C, February 2020
	UJ3D1210TS	311Kb/6P	10A -1200V SiC Schottky Diode Rev. C, February 2020
	UJ3D1250K	329Kb/6P	50A -1200V SiC Schottky Diode Rev. D, May 2020
	UJD06506TS	514Kb/4P	6A - 650V SiC Schottky Diode Rev. B, November 2016
	UJ2D1205T	517Kb/4P	5A - 1200V SiC Schottky Diode Rev. B, October 2016
	UJ3D1202TS	302Kb/6P	2A -1200V SiC Schottky Diode Rev. C, February 2020
	UJ3D06516TS	966Kb/5P	16A - 650V SiC Schottky Diode Rev. B, January 2018
	UJ3D1210KSD	332Kb/6P	10A -1200V SiC Schottky Diode Rev. C, February 2020
	UJ3D1220K2	319Kb/6P	20A -1200V SiC Schottky Diode Rev. B, April 2020
	UJ3D1205TS	310Kb/6P	5A -1200V SiC Schottky Diode Rev. C, February 2020
	UJ3D1725K2	329Kb/6P	25A - 1700V SiC Schottky Diode Rev. A, September 2020

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Qu'est-ce que SCHOTTKY

Schottky est l'un des termes utilisés dans les composants électroniques semi-conducteurs.

Schottky signifie Barrière Schottky, qui se forme à la jonction entre un semi-conducteur de type P et un métal. Les caractéristiques d'une telle jonction sont une conductivité élevée, une faible tension de saturation, une vitesse de commutation rapide et un faible niveau de bruit.

Ces propriétés sont très utiles dans la conception des composants électroniques.

Par conséquent, la diode Schottky est un type de dispositif semi-conducteur et est construite à l'aide d'une barrière Schottky.

Par rapport aux autres diodes, les diodes Schottky ont une vitesse et une efficacité plus élevées, une perte de faible tension et une réponse rapide.

Les diodes Schottky sont principalement utilisées dans les convertisseurs de puissance, les récepteurs RF et les circuits de commutation à grande vitesse.

En outre, Schottky Transistor est un dispositif de semi-conducteur qui fournit un courant élevé à basse tension et utilise une barrière Schottky pour former la jonction entre la porte et le canal.

Ces dispositifs sont utilisés dans les convertisseurs de puissance, les circuits de commutation à grande vitesse et les amplificateurs RF.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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