N-CHANNEL Datasheet(PDF) - U1897 - Intersil Corporation

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Qu'est-ce que N-CHANNEL

Le canal N est un type de mosfet (transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur) qui a un canal dopé avec un matériau de type N.

Dans un MOSFET à canal N, l'écoulement du courant est contrôlé par un film d'oxyde métallique mince qui agit comme une porte, qui est isolé du reste du dispositif par une fine couche isolante.

Lorsqu'une tension positive est appliquée à la porte, elle crée un champ électrique qui attire les électrons vers la porte et forme un canal entre la source et les bornes de drainage.

Ce canal permet au courant de s'écouler entre les bornes source et de drainage, et la largeur du canal est déterminée par la tension appliquée à la porte.

Les MOSFET à canal N sont largement utilisés dans une variété d'applications, y compris les alimentations, les lecteurs de moteur et les onduleurs, en raison de leur impédance d'entrée élevée, de leur faible résistance à l'état, des vitesses de commutation rapide et de leur efficacité élevée.

Cependant, les MOSFET à canal N présentent également des inconvénients, tels qu'une note de tension limitée et la nécessité d'un circuit d'entraînement de porte pour contrôler l'appareil. De plus, ils sont sensibles au rodaway thermique, ce qui peut faire échouer l'appareil s'il surchauffe.

Pour atténuer ce risque, les MOSFET à canal N sont souvent utilisés en combinaison avec d'autres composants, tels que les dispositifs de protection thermique ou les circuits de snobber.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	U1897	67Kb/2P	N-Channel JFET Switch
	HGTG32N60E2	33Kb/4P	32A, 600V N-Channel IGBT April 1995
	HGTG20N100D2	36Kb/5P	20A, 1000V N-Channel IGBT May 1995
	HIP6601BCB-T	256Kb/12P	Drives Two N-Channel MOSFETs
	HGTG20N120E2	167Kb/5P	34A, 1200V N-Channel IGBT April 1995
	HGTG24N60D1	32Kb/4P	24A, 600V N-Channel IGBT May 1995
	HGTG34N100E2	38Kb/5P	34A, 1000V N-Channel IGBT April 1995
	HGTP12N60D1	31Kb/4P	12A, 600V N-Channel IGBT April 1995
	HGTA32N60E2	31Kb/4P	32A, 600V N-Channel IGBT April 1995
	HGTG30N120D2	40Kb/5P	30A, 1200V N-Channel IGBT April 1995
	HIP6004ECB-T	507Kb/13P	Drives two N-Channel MOSFETs
	2N4223	42Kb/1P	N-CHANNEL JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
	FRX130D	35Kb/5P	Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs April 1998
	HGTD7N60A4S	168Kb/11P	600V, SMPS Series N-Channel IGBT June 2000
	2N7288D	46Kb/5P	Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs November 1994
	JANSR2N7281	49Kb/7P	Radiation Hardened, N-Channel Power MOSFET
	HIP2100IRZT	392Kb/12P	Drives N-Channel MOSFET Half Bridge
	HGTD3N60A4S	156Kb/10P	600V, SMPS Series N-Channel IGBT January 2000
	HGTG20N60A4	354Kb/9P	600V, SMPS Series N-Channel IGBTs October 1999
	HGTG30N60A4	92Kb/8P	600V, SMPS Series N-Channel IGBT January 2000

N-CHANNEL Fiches technique, PDF

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