MOSFET Datasheet(PDF) - MRF6522-70R3 - Freescale Semiconductor, Inc

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MOSFET Fiches technique, PDF

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Mot-clé recherché : 'MOSFET' - Totale: 61 (1/4) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Freescale Semiconductor...	MRF6522-70R3	510Kb/8P	The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF9582NT1	288Kb/8P	Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
	MC34700	822Kb/31P	9 to 18V, Quad Output, Integrated MOSFET Power Supply
	MC34700	1Mb/28P	9.0 to 18 V, Quad Output, Integrated MOSFET Power Supply
	MRF6VP2600H	1Mb/19P	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
	MRF9060LR1	364Kb/11P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF6P21190HR6	437Kb/12P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF8S9170NR3	463Kb/13P	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
	MRF7S35015HSR3	825Kb/12P	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
	MRF6VP11KHR6	468Kb/11P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF7S19120NR1	517Kb/14P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF6VP21KHR6	708Kb/11P	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
	MRF6P21190HR6	400Kb/12P	RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF6VP21KHR6	445Kb/11P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF5P21240HR6	565Kb/12P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF21085LSR3	197Kb/11P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF6VP2600HR6	1Mb/19P	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
	MRF8S9200NR3	491Kb/13P	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
	MRFE6P3300HR3	451Kb/12P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF8S9202N	652Kb/13P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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Qu'est-ce que MOSFET

Le transistor à effets de champ (MOSFET) en oxyde métal-oxyde est un type de dispositif de semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications de haute puissance, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Il s'agit d'un type de transistor à effet de champ (FET), ce qui signifie qu'il fonctionne en contrôlant l'écoulement du courant entre sa source et ses bornes de drain à l'aide d'un champ électrique.

Dans un MOSFET, l'écoulement du courant est contrôlé par un film d'oxyde métallique mince qui agit comme une porte, qui est isolé du reste du dispositif par une fine couche isolante.

La tension de grille contrôle la largeur du canal entre les bornes source et de drain, ce qui détermine l'écoulement du courant à travers le dispositif.

Il existe deux principaux types de MOSFET: le canal n et le canal p. Les MOSFET à canal N ont un canal qui est dopé avec un matériau de type N, tandis que les MOSFET à canal p ont un canal dopé avec un matériau de type P.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages par rapport aux autres types de semi-conducteurs de puissance, notamment une impédance d'entrée élevée, une faible résistance à l'état, des vitesses de commutation rapides et une efficacité élevée.

Ils sont également très polyvalents et peuvent être utilisés dans une variété d'applications, telles que les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Cependant, les MOSFET ont également des inconvénients, y compris une cote de tension limitée et la nécessité d'un circuit d'entraînement de porte pour contrôler l'appareil.

De plus, ils sont sensibles au rodaway thermique, ce qui peut faire échouer l'appareil s'il surchauffe.

Pour atténuer ce risque, les MOSFET sont souvent utilisés en combinaison avec d'autres composants, tels que les dispositifs de protection thermique ou les circuits de snobber.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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