MOSFET Datasheet(PDF) - ZXMC3A16DN8_05

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Qu'est-ce que MOSFET

Le transistor à effets de champ (MOSFET) en oxyde métal-oxyde est un type de dispositif de semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications de haute puissance, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Il s'agit d'un type de transistor à effet de champ (FET), ce qui signifie qu'il fonctionne en contrôlant l'écoulement du courant entre sa source et ses bornes de drain à l'aide d'un champ électrique.

Dans un MOSFET, l'écoulement du courant est contrôlé par un film d'oxyde métallique mince qui agit comme une porte, qui est isolé du reste du dispositif par une fine couche isolante.

La tension de grille contrôle la largeur du canal entre les bornes source et de drain, ce qui détermine l'écoulement du courant à travers le dispositif.

Il existe deux principaux types de MOSFET: le canal n et le canal p. Les MOSFET à canal N ont un canal qui est dopé avec un matériau de type N, tandis que les MOSFET à canal p ont un canal dopé avec un matériau de type P.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages par rapport aux autres types de semi-conducteurs de puissance, notamment une impédance d'entrée élevée, une faible résistance à l'état, des vitesses de commutation rapides et une efficacité élevée.

Ils sont également très polyvalents et peuvent être utilisés dans une variété d'applications, telles que les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Cependant, les MOSFET ont également des inconvénients, y compris une cote de tension limitée et la nécessité d'un circuit d'entraînement de porte pour contrôler l'appareil.

De plus, ils sont sensibles au rodaway thermique, ce qui peut faire échouer l'appareil s'il surchauffe.

Pour atténuer ce risque, les MOSFET sont souvent utilisés en combinaison avec d'autres composants, tels que les dispositifs de protection thermique ou les circuits de snobber.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Zetex Semiconductors	ZXMC3A16DN8	311Kb/10P	COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMC4A16DN8	186Kb/10P	COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMC3A18DN8	187Kb/8P	COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMC6A09DN8	290Kb/10P	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMC3A17DN8	279Kb/10P	COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMC3A18DN8	188Kb/8P	COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMC3A16DN8	301Kb/10P	COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMC4559DN8	282Kb/10P	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZVP4525E6	406Kb/8P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMC3A17DN8	276Kb/10P	COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXM64P02X	205Kb/7P	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMN3A01F	1Mb/7P	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMN6A08E6	850Kb/7P	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMN10A07Z	185Kb/7P	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMN10B08E6	199Kb/7P	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXM64P03X	331Kb/7P	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMN2A01E6	198Kb/7P	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMN3A14F	209Kb/7P	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMN10A08E6	1Mb/7P	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
	ZXMN2A01F	85Kb/4P	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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