Un transistor bipolaire à l'on isolé (IGBT) est un type de dispositif semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications à haute tension et à courant élevé, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs. Il combine la vitesse de commutation rapide d'un transistor de jonction bipolaire (BJT) avec la porte de tension contrôlée d'un transistor à effet de champ (MOSFET)-oxyde-oxyde de métal (MOSFET).
L'IGBT fonctionne en utilisant un MOSFET comme étage d'entrée et un transistor de jonction bipolaire comme étage de sortie.
La porte du MOSFET est isolée du reste de l'appareil, ce qui permet un fonctionnement à haute tension et une fiabilité améliorée.
*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.
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