IGBT Datasheet(PDF) - MSK4852_15 - M.S. Kennedy Corporation

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IGBT Fiches technique, PDF

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Mot-clé recherché : 'IGBT' - Totale: 11 (1/1) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
M.S. Kennedy Corporatio...	MSK4852	1Mb/8P	Full Three Phase Bridge Configuration with SCR/IGBT Brake
	MSK4854	941Kb/8P	Full Three Phase Bridge Configuration with SCR/IGBT Brake
	MSK4850	768Kb/7P	Full Three Phase Bridge Configuration with SCR/IGBT Brake
	MSK4470	265Kb/7P	10 AMP, 500V, 3 PHASE IGBT BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER
	MSK4853	563Kb/9P	Full Three Phase Bridge Configuration with SCR/IGBT Brake
	MSK4370	195Kb/3P	10 AMP, 500V, 3 PHASE IGBT BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER
	MSK4454S	227Kb/6P	10 AMP, 600 VOLT IGBT SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE HYBRID
	MSK4354HU	260Kb/6P	10 AMP, 600 VOLT IGBT SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE HYBRID
	MSK4357HU	335Kb/6P	28 AMP, 500 VOLT IGBT PLUS DIODE SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE HYBRID
	MSK4358	421Kb/6P	25 AMP, 500 VOLT IGBT PLUS DIODE FULLY ISOLATED SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE POWER HYBRID
	MSK4351	405Kb/6P	50 AMP, 500 VOLT IGBT PLUS DIODE FULLY ISOLATED SMART POWER 3-PHASE MOTOR DRIVE POWER HYBRID

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Qu'est-ce que IGBT

Un transistor bipolaire à l'on isolé (IGBT) est un type de dispositif semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications à haute tension et à courant élevé, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs. Il combine la vitesse de commutation rapide d'un transistor de jonction bipolaire (BJT) avec la porte de tension contrôlée d'un transistor à effet de champ (MOSFET)-oxyde-oxyde de métal (MOSFET).

L'IGBT fonctionne en utilisant un MOSFET comme étage d'entrée et un transistor de jonction bipolaire comme étage de sortie.

La porte du MOSFET est isolée du reste de l'appareil, ce qui permet un fonctionnement à haute tension et une fiabilité améliorée.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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