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IGBT Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'IGBT' - Totale: 201 (1/11) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Vishay Siliconix
VS-CPV362M4UPBF Datasheet pdf image
263Kb/10P
IGBT SIP Module(Fast IGBT)
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280Kb/11P
IGBT SIP Module (Ultrafast IGBT)
Revision: 01-Sep-08
VS-CPV362M4FPBF Datasheet pdf image
237Kb/9P
IGBT SIP Module (Fast IGBT)
01-Jan-2019
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298Kb/11P
IGBT SIP Module (Fast IGBT)
Revision: 01-Sep-08
CPV363M4UPBF Datasheet pdf image
278Kb/11P
IGBT SIP Module (Ultrafast IGBT)
Revision: 01-Sep-08
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287Kb/13P
IGBT MTP
Revision: 18-Jun-15
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265Kb/12P
IGBT MTP
Revision: 10-Jun-15
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IGBT MTP
Revision: 10-Jun-15
VS-CPV363M4KPBF Datasheet pdf image
261Kb/10P
IGBT SIP Module (Short Circuit Rated Ultrafast IGBT)
VS-20MT120PFP Datasheet pdf image
216Kb/10P
“Full Bridge” IGBT MTP (TrenchStop IGBT), 57 A
01-Jan-2022
CPV363M4KPBF Datasheet pdf image
279Kb/11P
IGBT SIP Module (Short Circuit Rated Ultrafast IGBT)
Revision: 01-Sep-08
VS-CPV364M4KPBF Datasheet pdf image
252Kb/11P
IGBT SIP Module(Short Circuit Rated Ultrafast IGBT)
VS-20MT120PFP Datasheet pdf image
217Kb/10P
“Full Bridge” IGBT MTP (TrenchStop IGBT), 57 A
01-Jan-2023
20MT120UFP Datasheet pdf image
317Kb/11P
"Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A
Revision: 01-Mar-10
CPV362M4FPBF Datasheet pdf image
246Kb/9P
IGBT SIP Module
Revision: 10-Jun-15
20MT120UFAPBF Datasheet pdf image
222Kb/11P
"Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 A
Revision: 03-Aug-10
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet pdf image
154Kb/6P
Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 A
Revision: 10-Jun-15
VS-GT105LA120UX Datasheet pdf image
190Kb/9P
Trench IGBT technology
Revision: 17-Oct-16
40MT120UHAPBF Datasheet pdf image
329Kb/12P
Half Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A
Revision: 01-Mar-10
25MT060WFAPBF Datasheet pdf image
329Kb/9P
"Full Bridge" IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 A
Revision: 01-Mar-09

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Qu'est-ce que IGBT


Un transistor bipolaire à l'on isolé (IGBT) est un type de dispositif semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications à haute tension et à courant élevé, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs. Il combine la vitesse de commutation rapide d'un transistor de jonction bipolaire (BJT) avec la porte de tension contrôlée d'un transistor à effet de champ (MOSFET)-oxyde-oxyde de métal (MOSFET).

L'IGBT fonctionne en utilisant un MOSFET comme étage d'entrée et un transistor de jonction bipolaire comme étage de sortie.

La porte du MOSFET est isolée du reste de l'appareil, ce qui permet un fonctionnement à haute tension et une fiabilité améliorée.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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