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IGBT Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'IGBT' - Totale: 22 (1/2) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Shenzhen Huazhimei Semi...
GPU100HF120D1 Datasheet pdf image
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IGBT Module
GPU200HF120D2 Datasheet pdf image
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IGBT Module
GPU50HF120D1 Datasheet pdf image
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IGBT Module
KDG25R12KE3 Datasheet pdf image
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IGBT Module
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IGBT Module
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IGBT Module
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IGBT Module
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600V, 15A, Trench FS II IGBT
HM10N120T Datasheet pdf image
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1200V /10A Trench Field Stop IGBT
HMG40N60T Datasheet pdf image
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600V, 40A, Trench FS II IGBT
HM15N120AT Datasheet pdf image
1Mb/8P
1200V /15A Trench Field Stop IGBT
HMG50N65T Datasheet pdf image
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650V /50A Trench Field Stop IGBT
HM15N120FT Datasheet pdf image
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1200V /15A Trench Field Stop IGBT
HMG60N65FT Datasheet pdf image
1Mb/8P
650V /60A Trench Field Stop IGBT
HMG75N65FT Datasheet pdf image
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650V /75A Trench Field Stop IGBT
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1200V /25A Trench Field Stop IGBT
HM25N135FT Datasheet pdf image
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1350V /25A Trench Field Stop IGBT
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650V /15A Trench Field Stop IGBT

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Qu'est-ce que IGBT


Un transistor bipolaire à l'on isolé (IGBT) est un type de dispositif semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications à haute tension et à courant élevé, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs. Il combine la vitesse de commutation rapide d'un transistor de jonction bipolaire (BJT) avec la porte de tension contrôlée d'un transistor à effet de champ (MOSFET)-oxyde-oxyde de métal (MOSFET).

L'IGBT fonctionne en utilisant un MOSFET comme étage d'entrée et un transistor de jonction bipolaire comme étage de sortie.

La porte du MOSFET est isolée du reste de l'appareil, ce qui permet un fonctionnement à haute tension et une fiabilité améliorée.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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