HOLE Datasheet(PDF) - VT5-254SP - QUARTZCOM the communications company

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HOLE Fiches technique, PDF

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Mot-clé recherché : 'HOLE' - Totale: 42 (1/3) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
QUARTZCOM the communica...	VT5-254SP	96Kb/1P	Through hole VC-TCXO
	MCO-7050H	89Kb/1P	Thru-hole Clock Oscillator HCMOS / TTL
	OCO-M25BS	137Kb/1P	High frequency through hole OCXO Sine wave
	TXU-105S	107Kb/1P	Through Hole TCXO Output signal Sine wave
	OCO-M36AS	139Kb/1P	Through hole OCXO Applications: CDMA, 3G, networking, instrumentation
	MCO-7025H-HP	89Kb/1P	High precision thru-hole Clock Oscillator HCMOS / TTL
	OCO-M20BH	114Kb/1P	Through hole OCXO Applications: CDMA, 3G, networking, instrumentation
	TXU-105H	111Kb/1P	Through hole TCXO HCMOS Tight frequency stability vs. temperature
	TX5-254HP	306Kb/1P	Through hole TCXO HCMOS Tight frequency stability vs. temperature
	TX6-104H	97Kb/1P	Through hole TCXO HCMOS High reliable hermetic sealed package
	TXE-205H	169Kb/1P	Through hole TCXO HCMOS / TTL compatible Low phase noise
	TXE-205A	169Kb/1P	Through hole TCXO Clipped sine wave Low phase noise
	TX6-464H-ST3	92Kb/1P	High precision analogue compensated STRATUM III through hole TCXO
	VT5-254HP	97Kb/1P	Through hole VC-TCXO HCMOS Tight frequency stability vs temperature
	OCO-M14H	156Kb/1P	Through hole OCXO Applications: GPS, base-station, synchronisation, satelite-modem
	OCO-M25AS	141Kb/1P	Through hole OCXO Applications: CDMA, 3G, base station, networking, instrumentation
	VT5-254AP	97Kb/1P	Through hole VC-TCXO Clipped sine wave Low phase noise
	TX5-254SP	306Kb/1P	Through hole TCXO Sine wave Tight frequency stability vs. temperature
	VX7	82Kb/1P	Thru-hole VCXO HCMOS / TTL High shock and vibration resistant
	VTE-205A	90Kb/1P	Through hole VC-TCXO Clipped sine wave Low phase noise

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Qu'est-ce que HOLE

Hole est l'un des concepts utilisés dans la théorie des semi-conducteurs.

Le semi-conducteur est un domaine qui étudie le fonctionnement des électrons, et le flux d'électrons peut s'expliquer par le concept de «trous», un concept lié au mouvement des électrons et au manque d'électrons en même temps.

Le trou fait référence à la privation d'électrons, qui est causée par le mouvement d'un électron d'un atome à laquelle il est lié.

Cela indique un manque d'électrons dans les atomes liés.

Ces «trous» ont une charge positive, par opposition aux électrons et affectent le comportement électrique.

Hole joue un rôle important dans la conception de l'appareil semi-conducteur.

En particulier, dans un dispositif semi-conducteur de type P, le mouvement des trous et le mouvement des électrons se produisent ensemble.

Ces «trous» servent à faciliter le mouvement du courant dans les dispositifs semi-conducteurs de type P.

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