GAAS Datasheet(PDF) - LD261 - Siemens Semiconductor Group

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GAAS Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'GAAS' - Totale: 49 (1/3) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Siemens Semiconductor G...	LD261	36Kb/4P	GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
	SFH405	33Kb/4P	GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
	SFH415	47Kb/5P	GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters
	SFH400	64Kb/7P	GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
	LD274	34Kb/4P	GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
	SFH495P	43Kb/4P	GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
	IRL80A	122Kb/3P	GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter
	LD271	41Kb/5P	GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
	CF750	51Kb/6P	GaAs MMIC (Biased Dual Gate GaAs FET)
	CGY195	31Kb/3P	GaAs MMIC
	LD260	43Kb/4P	GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
	LD242	39Kb/5P	GaAs Infrared Emitter
	SFH401	94Kb/2P	GaAs INFRARED EMITTER
	CF739	138Kb/7P	GaAs FET (N-channel dual-gate GaAs MES FET)
	SFH409	34Kb/4P	GaAs Infrared Emitter
	SFH4510	58Kb/6P	GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm GaAs Infrared Emitters 950 nm
	CMY91	58Kb/9P	GaAs MMIC (GaAs mixer with integrated IF-amplifier for mobile communication)
	SFH420	48Kb/5P	GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
	SFH435	106Kb/3P	GaAs INFRARED EMITTER DOUBLE EMITTING DIODE
	CGY21	130Kb/9P	GaAs MMIC (Two-stage monolithic microwave IC MMIC amplifier)

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Qu'est-ce que GAAS

Le GAAS (arséniure de gallium) est un matériau semi-conducteur composé de gallium (GA) et d'arsenic (AS), et est utilisé dans les composants électroniques.

Le GAAS est largement utilisé dans les dispositifs optoélectroniques, les circuits intégrés à grande vitesse (ICS) et les appareils micro-ondes.

Le GAAS a une mobilité électronique très élevée et une vitesse rapide des électrons, il joue donc un rôle important dans le traitement du signal à haute fréquence et la communication optique.

Ces propriétés font du GAAS l'un des matériaux clés pour l'électronique à grande vitesse.

Le GAAS est également utilisé dans la fabrication de puces informatiques à ultra-haute vitesse car elle conserve généralement ses excellentes propriétés électriques même aux températures cryogéniques.

Par rapport aux matériaux semi-conducteurs traditionnels tels que SI (Silicon), le GAAS est relativement coûteux et le processus de fabrication est compliqué.

Cependant, le GAAS est toujours reconnu comme un matériau semi-conducteur important car il offre d'excellentes propriétés électriques et des performances requises dans l'électronique à grande vitesse.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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