GAAS Datasheet(PDF) - GN8062 - Panasonic Semiconductor

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Qu'est-ce que GAAS

Le GAAS (arséniure de gallium) est un matériau semi-conducteur composé de gallium (GA) et d'arsenic (AS), et est utilisé dans les composants électroniques.

Le GAAS est largement utilisé dans les dispositifs optoélectroniques, les circuits intégrés à grande vitesse (ICS) et les appareils micro-ondes.

Le GAAS a une mobilité électronique très élevée et une vitesse rapide des électrons, il joue donc un rôle important dans le traitement du signal à haute fréquence et la communication optique.

Ces propriétés font du GAAS l'un des matériaux clés pour l'électronique à grande vitesse.

Le GAAS est également utilisé dans la fabrication de puces informatiques à ultra-haute vitesse car elle conserve généralement ses excellentes propriétés électriques même aux températures cryogéniques.

Par rapport aux matériaux semi-conducteurs traditionnels tels que SI (Silicon), le GAAS est relativement coûteux et le processus de fabrication est compliqué.

Cependant, le GAAS est toujours reconnu comme un matériau semi-conducteur important car il offre d'excellentes propriétés électriques et des performances requises dans l'électronique à grande vitesse.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Panasonic Semiconductor	GN8062	55Kb/3P	GaAs IC
	GN8061	79Kb/5P	GaAs IC
	OH10008	44Kb/2P	GaAs Hall Device
	OH10003	48Kb/2P	GaAs Hall Device
	OH10004	46Kb/2P	GaAs Hall Device
	OH023	26Kb/2P	GaAs hall element
	OH017	25Kb/2P	GaAs hall element
	OH10010	45Kb/2P	GaAs Hall Device
	OH10009	45Kb/2P	GaAs Hall Device
	LN162S	39Kb/2P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	LN52	44Kb/3P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	LN55	38Kb/2P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	LN58	44Kb/3P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	LN69	40Kb/2P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	LNA2802L	40Kb/3P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	GN1010	39Kb/2P	GaAs N-Channel MES IC
	LNA2603F	54Kb/3P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	LNA2903L	51Kb/3P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	LN152	36Kb/2P	GaAs Infrared Light Emitting Diode
	LN57	238Kb/6P	GAAS INFRARED LIGHT EMITTING DIODE

GAAS Fiches technique, PDF

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