FETS Datasheet(PDF) - PTFB211501EF - Infineon Technologies AG

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Qu'est-ce que FETS

FET signifie «transistor à effet de champ», et c'est un type de dispositif semi-conducteur qui est utilisé comme commutateur ou amplificateur dans les circuits électroniques. Les FET sont des dispositifs à trois terminaux, avec une source, un drain et une porte.

Le fonctionnement d'un FET est basé sur le contrôle de l'écoulement des porteurs de charge (électrons ou trous) par un champ électrique, plutôt que par l'injection de porteurs de charge, comme c'est le cas avec les transistors bipolaires.

Il existe deux principaux types de FET: le FET de jonction (JFET) et le FET-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET).

Dans un JFET, une jonction PN biaisée est utilisée pour créer une région d'épuisement qui forme un canal entre les bornes source et de drainage. La largeur du canal est contrôlée par la tension appliquée à la borne de la porte, qui module la largeur de la région d'épuisement et donc la conductivité du canal.

Les JFET sont généralement utilisés dans les circuits d'amplificateurs à faible bruit, car ils ont une capacité d'entrée très faible et une impédance d'entrée élevée.

Dans un MOSFET, une couche d'oxyde est utilisée pour séparer la porte de la région du canal.

La couche d'oxyde agit comme un isolant et la borne de porte est utilisée pour créer un champ électrique qui contrôle la conductivité du canal.

Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits numériques et analogiques, car ils ont une impédance d'entrée élevée, une faible impédance de sortie et une vitesse de commutation rapide.

Les FET présentent un certain nombre d'avantages par rapport aux autres types de transistors, y compris une impédance d'entrée élevée, une faible consommation d'énergie et une vitesse de commutation élevée.

Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications, y compris dans les amplificateurs, les oscillateurs, les commutateurs et les régulateurs de tension, ainsi que dans les circuits numériques tels que les portes logiques et les cellules de mémoire.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Infineon Technologies A...	PTFB211501EF	351Kb/13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs Rev. 03.1, 2016-06-14
	PTVA123501EFC	1Mb/14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs Rev. 05, 2015-07-07
	PTFA072401EL	563Kb/9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs Rev. 05, 2015-02-24
	PTFA092213EL	1Mb/10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs Rev. 05, 2015-03-04
Supertex, Inc	VN1306	28Kb/4P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
	DN2640	43Kb/2P	N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
	VN0540	30Kb/4P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
	TP2635	562Kb/5P	P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
	VN0550	534Kb/5P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
	DN3145	393Kb/3P	N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
	VN10KN9	242Kb/4P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Transcom, Inc.	TC1201	251Kb/6P	Low Noise and Medium Power GaAs FETs
Transcom, Inc.	TC1201V	122Kb/2P	Low Noise and Medium Power GaAs FETs
Supertex, Inc	2N7008	592Kb/3P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Infineon Technologies A...	PTFB211503EFL	832Kb/14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs Rev. 04.1, 2016-06-14
Supertex, Inc	VP0109	665Kb/5P	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Maxim Integrated Produc...	MAX16046EVKIT	1Mb/25P	On-Board LDO Regulators and Tracking FETs Rev 1; 3/09
Supertex, Inc	VN2222LL	433Kb/2P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Supertex, Inc	VN2460	457Kb/4P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Calogic, LLC	SD210	29Kb/2P	High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs

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