FETS Datasheet(PDF) - TC3873

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

< 1 2 3 4 5 > >>

Qu'est-ce que FETS

FET signifie «transistor à effet de champ», et c'est un type de dispositif semi-conducteur qui est utilisé comme commutateur ou amplificateur dans les circuits électroniques. Les FET sont des dispositifs à trois terminaux, avec une source, un drain et une porte.

Le fonctionnement d'un FET est basé sur le contrôle de l'écoulement des porteurs de charge (électrons ou trous) par un champ électrique, plutôt que par l'injection de porteurs de charge, comme c'est le cas avec les transistors bipolaires.

Il existe deux principaux types de FET: le FET de jonction (JFET) et le FET-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET).

Dans un JFET, une jonction PN biaisée est utilisée pour créer une région d'épuisement qui forme un canal entre les bornes source et de drainage. La largeur du canal est contrôlée par la tension appliquée à la borne de la porte, qui module la largeur de la région d'épuisement et donc la conductivité du canal.

Les JFET sont généralement utilisés dans les circuits d'amplificateurs à faible bruit, car ils ont une capacité d'entrée très faible et une impédance d'entrée élevée.

Dans un MOSFET, une couche d'oxyde est utilisée pour séparer la porte de la région du canal.

La couche d'oxyde agit comme un isolant et la borne de porte est utilisée pour créer un champ électrique qui contrôle la conductivité du canal.

Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits numériques et analogiques, car ils ont une impédance d'entrée élevée, une faible impédance de sortie et une vitesse de commutation rapide.

Les FET présentent un certain nombre d'avantages par rapport aux autres types de transistors, y compris une impédance d'entrée élevée, une faible consommation d'énergie et une vitesse de commutation élevée.

Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications, y compris dans les amplificateurs, les oscillateurs, les commutateurs et les régulateurs de tension, ainsi que dans les circuits numériques tels que les portes logiques et les cellules de mémoire.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

Politique de confidentialité
ALLDATASHEET.FR

Politique de confidentialité

ALLDATASHEET.FR

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]
À propos de Alldatasheet \| Publicité \| Contactez-nous \| Politique de confidentialité \| Echange de liens \| Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Transcom, Inc.	TC3873	168Kb/3P	5.25 - 5.875 GHz 3W prematched FETs
NXP Semiconductors	BF904A	308Kb/15P	N-channel dual gate MOS-FETs Rev. 04-13 November 2007
TECH PUBLIC Electronics...	TPM6401S3	718Kb/4P	P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
	SI2301CDS	13Mb/6P	P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
	SI2301DS	1Mb/6P	P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
	SI2301ADS	1Mb/6P	P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
Supertex, Inc	LNE150	44Kb/2P	N-Channel Enhancement-Mode DMOS FETs
NXP Semiconductors	BF904	309Kb/14P	N-channel dual gate MOS-FETs Rev. 06-13 November 2007
Guilin Strong Micro-Ele...	2SK3018	315Kb/3P	N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
Quanzhou Jinmei Electro...	BF1101_2015	141Kb/16P	N-channel dual-gate MOS-FETs
Motorola, Inc	JF1033	25Kb/1P	SMALL-SIGNAL TRANSISTOR,FETs AND DIODE
NXP Semiconductors	BF1109	145Kb/16P	N-channel dual-gate MOS-FETs 1997 Dec 08
	BF909	148Kb/11P	N-channel dual gate MOS-FETs 1995 Apr 25
	BF1101	128Kb/16P	N-channel dual-gate MOS-FETs 1999 May 14
	BF1105	152Kb/16P	N-channel dual-gate MOS-FETs 1997 Dec 02
	BF1107	54Kb/8P	N-channel single gate MOS-FETs 1999 May 14
	BF1212	131Kb/15P	N-channel dual-gate MOS-FETs 2003 Nov 14
Quanzhou Jinmei Electro...	BF1212	136Kb/15P	N-channel dual-gate MOS-FETs
Quanzhou Jinmei Electro...	BF1101	141Kb/16P	N-channel dual-gate MOS-FETs
Shanghai Leiditech Elec...	LM2301	379Kb/3P	P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

FETS Fiches technique, PDF

Qu'est-ce que FETS

Lien URL :