FETS Datasheet(PDF) - FTK0910S - First Silicon Co., Ltd

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

< 1 2 3 4 5 > >>

Qu'est-ce que FETS

FET signifie «transistor à effet de champ», et c'est un type de dispositif semi-conducteur qui est utilisé comme commutateur ou amplificateur dans les circuits électroniques. Les FET sont des dispositifs à trois terminaux, avec une source, un drain et une porte.

Le fonctionnement d'un FET est basé sur le contrôle de l'écoulement des porteurs de charge (électrons ou trous) par un champ électrique, plutôt que par l'injection de porteurs de charge, comme c'est le cas avec les transistors bipolaires.

Il existe deux principaux types de FET: le FET de jonction (JFET) et le FET-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET).

Dans un JFET, une jonction PN biaisée est utilisée pour créer une région d'épuisement qui forme un canal entre les bornes source et de drainage. La largeur du canal est contrôlée par la tension appliquée à la borne de la porte, qui module la largeur de la région d'épuisement et donc la conductivité du canal.

Les JFET sont généralement utilisés dans les circuits d'amplificateurs à faible bruit, car ils ont une capacité d'entrée très faible et une impédance d'entrée élevée.

Dans un MOSFET, une couche d'oxyde est utilisée pour séparer la porte de la région du canal.

La couche d'oxyde agit comme un isolant et la borne de porte est utilisée pour créer un champ électrique qui contrôle la conductivité du canal.

Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits numériques et analogiques, car ils ont une impédance d'entrée élevée, une faible impédance de sortie et une vitesse de commutation rapide.

Les FET présentent un certain nombre d'avantages par rapport aux autres types de transistors, y compris une impédance d'entrée élevée, une faible consommation d'énergie et une vitesse de commutation élevée.

Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications, y compris dans les amplificateurs, les oscillateurs, les commutateurs et les régulateurs de tension, ainsi que dans les circuits numériques tels que les portes logiques et les cellules de mémoire.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

Politique de confidentialité
ALLDATASHEET.FR

Politique de confidentialité

ALLDATASHEET.FR

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]
À propos de Alldatasheet \| Publicité \| Contactez-nous \| Politique de confidentialité \| Echange de liens \| Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
First Silicon Co., Ltd	FTK0910S	990Kb/5P	100V N-Channel MOS FETs
Shanghai Leiditech Elec...	LM3401	493Kb/3P	P-Channel Enhancement-ModeMOS FETs
Transcom, Inc.	TC1202	173Kb/4P	Super Low Noise GaAs FETs
Motorola, Inc	MRF166C	111Kb/6P	MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
List of Unclassifed Man...	TC1202	111Kb/4P	Super Low Noise GaAs FETs
NXP Semiconductors	J108	45Kb/7P	N-channel silicon junction FETs 1996 Jul 30
First Silicon Co., Ltd	FTK001N60S	989Kb/5P	600V N-Channel MOS FETs
	FTK2309L	1Mb/5P	20V P-Channel MOS FETs
	FTK3912Z	974Kb/5P	30V N-Channel MOS FETs
Shanghai Leiditech Elec...	LM2305	502Kb/3P	P-Channel Enhancement-ModeMOS FETs
Shanghai Leiditech Elec...	LM3407	512Kb/3P	P-Channel Enhancement-ModeMOS FETs
Panasonic Semiconductor	2SK3546G	233Kb/4P	Silicon Jumction FETs Small Signal
New Jersey Semi-Conduct...	MTM3N75	131Kb/2P	TMOS POWER FETs 3 AMPERES
Shanghai Leiditech Elec...	LM2302	385Kb/3P	N-Channel Enhancement-ModeMOS FETs
Guilin Strong Micro-Ele...	GM2301	317Kb/3P	P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
Quanzhou Jinmei Electro...	BF1105_2015	125Kb/16P	N-channel dual-gate MOS-FETs
Quanzhou Jinmei Electro...	BF1109_2015	120Kb/16P	N-channel dual-gate MOS-FETs
NXP Semiconductors	BF904	303Kb/14P	N-channel dual gate MOS-FETs Rev. 06-13 November 2007
Shanghai Leiditech Elec...	LMS2301AL	1Mb/3P	P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
Tyco Electronics	MRF175LU	144Kb/8P	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs

FETS Fiches technique, PDF

Qu'est-ce que FETS

Lien URL :