FETS Datasheet(PDF) - SD210

Qu'est-ce que FETS

FET signifie «transistor à effet de champ», et c'est un type de dispositif semi-conducteur qui est utilisé comme commutateur ou amplificateur dans les circuits électroniques. Les FET sont des dispositifs à trois terminaux, avec une source, un drain et une porte.

Le fonctionnement d'un FET est basé sur le contrôle de l'écoulement des porteurs de charge (électrons ou trous) par un champ électrique, plutôt que par l'injection de porteurs de charge, comme c'est le cas avec les transistors bipolaires.

Il existe deux principaux types de FET: le FET de jonction (JFET) et le FET-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET).

Dans un JFET, une jonction PN biaisée est utilisée pour créer une région d'épuisement qui forme un canal entre les bornes source et de drainage. La largeur du canal est contrôlée par la tension appliquée à la borne de la porte, qui module la largeur de la région d'épuisement et donc la conductivité du canal.

Les JFET sont généralement utilisés dans les circuits d'amplificateurs à faible bruit, car ils ont une capacité d'entrée très faible et une impédance d'entrée élevée.

Dans un MOSFET, une couche d'oxyde est utilisée pour séparer la porte de la région du canal.

La couche d'oxyde agit comme un isolant et la borne de porte est utilisée pour créer un champ électrique qui contrôle la conductivité du canal.

Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits numériques et analogiques, car ils ont une impédance d'entrée élevée, une faible impédance de sortie et une vitesse de commutation rapide.

Les FET présentent un certain nombre d'avantages par rapport aux autres types de transistors, y compris une impédance d'entrée élevée, une faible consommation d'énergie et une vitesse de commutation élevée.

Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications, y compris dans les amplificateurs, les oscillateurs, les commutateurs et les régulateurs de tension, ainsi que dans les circuits numériques tels que les portes logiques et les cellules de mémoire.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Calogic, LLC	SD210	29Kb/2P	High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs
	SD211	29Kb/2P	High-Speed Analo N-Channel DMOS FETs
	SD210DE	36Kb/2P	High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs
	SD200	27Kb/2P	High-Speed Analog N-Channel Enhancement-Mode DMOS FETS
	SD400	23Kb/2P	High-Speed Analog N-Channel/Enhancement-Mode DMOS FETS
	SSTSD203	34Kb/2P	High-Speed Analog N-Channel Enhancement-Mode DMOS FETS
	SD310	35Kb/3P	High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs Improved On -Resistance

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