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FETS Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'FETS' - Totale: 69 (1/4) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
Texas Instruments
TPS54372 Datasheet pdf image
455Kb/17P
3-A OUTPUT TRACKING/TERMINATION SYNCHRONOUS PWM SWITCHER WITH INTEGRATED FETs
LM5113 Datasheet pdf image
2Mb/21P
LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
SN0401093 Datasheet pdf image
234Kb/13P
DUAL INPUT BUS 9-A OUTPUT SYNCHRONOUS BUCK PWM SWITCHER WITH INTEGRATED FETs(SWIFT)
TPS54010 Datasheet pdf image
954Kb/29P
2.2 ??4 -V, 14-A OUTPUT SYNCHRONOUS BUCK PWM SWITCHER WITH INTEGRATED FETs (SWIFT??
TPS54010 Datasheet pdf image
707Kb/25P
2.2 - 4 -V, 14-A OUTPUT SYNCHRONOUS BUCK PWM SWITCHER WITH INTEGRATED FETs (SWIFT)
BQ24105-Q1 Datasheet pdf image
859Kb/35P
SYNCHRONOUS SWITCHMODE, LI-ION AND LI-POLYMER CHARGE-MANAGEMENT IC WITH INTEGRATED POWER FETs ( bqSWITCHER??
BQ24100 Datasheet pdf image
1Mb/40P
SYNCHRONOUS SWITCHMODE, LI-ION AND LI-POLYMER CHARGE-MANAGEMENT IC WITH INTEGRATED POWER FETs ( bqSWITCHER??
TPS54318 Datasheet pdf image
1Mb/36P
2.95V To 6V Input, 3A Output, 2MHz, Synchronous Step Down Switcher With Integrated FETs ( SWIFT??
BQ24100 Datasheet pdf image
1Mb/38P
SYNCHRONOUS SWITCHMODE, LI-ION AND LI-POLYMER CHARGE-MANAGEMENT IC WITH INTEGRATED POWER FETs (bqSWITCHER??
TPS54318 Datasheet pdf image
1Mb/36P
2.95V To 6V Input 3A Output 2MHz Synchronous Step Down Switcher With Integrated FETs (SWIFT)
TPS54974 Datasheet pdf image
515Kb/18P
DUAL INPUT BUS (2.5V, 3.3V) 9-A OUTPUT SYNCHRONOUS BUCK PWM SWITCHER WITH INTEGRATED FETs
BQ24100 Datasheet pdf image
1,017Kb/36P
SYNCHRONOUS SWITCHMODE, LI-ION AND LI-POLYMER CHARGE-MANAGEMENT IC WITH INTEGRATED POWER FETs (bqSWITCHER??
TPS54617 Datasheet pdf image
584Kb/18P
3-V TO 6-V INPUT, 6-A, SMALL SYNCHRONOUS-BUCK SWITCHER WITH INTEGRATED FETs (SWIFT??
TPS51317 Datasheet pdf image
1Mb/28P
3.3-V/5-V Input, 6-A, D-CAP+??Mode Synchronous Step-Down Integrated FETs Converter
TPS54610PWPG4 Datasheet pdf image
976Kb/24P
3-V TO 6-V INPUT, 6-A OUTPUT SYNCHRONOUS BUCK SWITCHER WITH INTEGRATED FETs (SWIFT)
TPS54311 Datasheet pdf image
553Kb/10P
3-V TO 6-V INPUT, 3-A OUTPUT SYNCHRONOUS-BUCK PWM SWITCHER WITH INTEGRATED FETs
TPS54610 Datasheet pdf image
289Kb/16P
3-V TO 6-V INPUT, 6-A OUTPUT SYNCHRONOUS BUCK PWM SWITCHER WITH INTEGRATED FETs
TPS54810 Datasheet pdf image
214Kb/15P
4-V TO 6-V INPUT, 8-A OUTPUT SYNCHRONOUS BUCK PWM SWITCHER WITH INTEGRATED FETS
TPS55010 Datasheet pdf image
2Mb/46P
TPS55010 2.95-V To 6-V Input, 2 W, Isolated DC/DC Converter with Integrated FETs
TPS54617 Datasheet pdf image
794Kb/21P
3-V TO 6-V INPUT, 6-A, SMALL SYNCHRONOUS-BUCK SWITCHER WITH INTEGRATED FETs (SWIFT??

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Qu'est-ce que FETS


FET signifie «transistor à effet de champ», et c'est un type de dispositif semi-conducteur qui est utilisé comme commutateur ou amplificateur dans les circuits électroniques. Les FET sont des dispositifs à trois terminaux, avec une source, un drain et une porte.

Le fonctionnement d'un FET est basé sur le contrôle de l'écoulement des porteurs de charge (électrons ou trous) par un champ électrique, plutôt que par l'injection de porteurs de charge, comme c'est le cas avec les transistors bipolaires.

Il existe deux principaux types de FET: le FET de jonction (JFET) et le FET-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET).

Dans un JFET, une jonction PN biaisée est utilisée pour créer une région d'épuisement qui forme un canal entre les bornes source et de drainage. La largeur du canal est contrôlée par la tension appliquée à la borne de la porte, qui module la largeur de la région d'épuisement et donc la conductivité du canal.

Les JFET sont généralement utilisés dans les circuits d'amplificateurs à faible bruit, car ils ont une capacité d'entrée très faible et une impédance d'entrée élevée.

Dans un MOSFET, une couche d'oxyde est utilisée pour séparer la porte de la région du canal.

La couche d'oxyde agit comme un isolant et la borne de porte est utilisée pour créer un champ électrique qui contrôle la conductivité du canal.

Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits numériques et analogiques, car ils ont une impédance d'entrée élevée, une faible impédance de sortie et une vitesse de commutation rapide.

Les FET présentent un certain nombre d'avantages par rapport aux autres types de transistors, y compris une impédance d'entrée élevée, une faible consommation d'énergie et une vitesse de commutation élevée.

Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications, y compris dans les amplificateurs, les oscillateurs, les commutateurs et les régulateurs de tension, ainsi que dans les circuits numériques tels que les portes logiques et les cellules de mémoire.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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