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FETS Fiches technique, PDF

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Mot-clé recherché : 'FETS' - Totale: 21 (1/2) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
NXP Semiconductors 		PMBF4391 Datasheet pdf image
40Kb/7P		 N-channel FETs
April 1995
BSR56 Datasheet pdf image
37Kb/6P		 N-channel FETs
April 1991
BF908 Datasheet pdf image
87Kb/8P		 Dual-gate MOS-FETs
1996 Jul 30
PMBFJ108 Datasheet pdf image
36Kb/6P		 N-channel junction FETs
April 1995
BF861A Datasheet pdf image
102Kb/12P		 N-channel junction FETs
1997 Sep 04
BF1100 Datasheet pdf image
159Kb/14P		 Dual-gate MOS-FETs
1995 Apr 25
PMBFJ111 Datasheet pdf image
36Kb/6P		 N-channel junction FETs
April 1995
J108 Datasheet pdf image
45Kb/7P		 N-channel silicon junction FETs
1996 Jul 30
BF1211 Datasheet pdf image
112Kb/15P		 N-channel dual-gate MOS-FETs
2003 Dec 16
BF1109 Datasheet pdf image
145Kb/16P		 N-channel dual-gate MOS-FETs
1997 Dec 08
BF909 Datasheet pdf image
148Kb/11P		 N-channel dual gate MOS-FETs
1995 Apr 25
BF1101 Datasheet pdf image
128Kb/16P		 N-channel dual-gate MOS-FETs
1999 May 14
BF1105 Datasheet pdf image
152Kb/16P		 N-channel dual-gate MOS-FETs
1997 Dec 02
BF1107 Datasheet pdf image
54Kb/8P		 N-channel single gate MOS-FETs
1999 May 14
BF1212 Datasheet pdf image
131Kb/15P		 N-channel dual-gate MOS-FETs
2003 Nov 14
BF904 Datasheet pdf image
111Kb/16P		 N-channel dual gate MOS-FETs
1999 May 17
BF904A Datasheet pdf image
114Kb/16P		 N-channel dual gate MOS-FETs
1999 May 14
BF1201 Datasheet pdf image
113Kb/16P		 N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
2000 Mar 29
BF1202 Datasheet pdf image
116Kb/16P		 N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
2000 Mar 29
BF998 Datasheet pdf image
114Kb/12P		 Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs
1996 Aug 01

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Qu'est-ce que FETS

FET signifie «transistor à effet de champ», et c'est un type de dispositif semi-conducteur qui est utilisé comme commutateur ou amplificateur dans les circuits électroniques. Les FET sont des dispositifs à trois terminaux, avec une source, un drain et une porte.

Le fonctionnement d'un FET est basé sur le contrôle de l'écoulement des porteurs de charge (électrons ou trous) par un champ électrique, plutôt que par l'injection de porteurs de charge, comme c'est le cas avec les transistors bipolaires.

Il existe deux principaux types de FET: le FET de jonction (JFET) et le FET-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET).

Dans un JFET, une jonction PN biaisée est utilisée pour créer une région d'épuisement qui forme un canal entre les bornes source et de drainage. La largeur du canal est contrôlée par la tension appliquée à la borne de la porte, qui module la largeur de la région d'épuisement et donc la conductivité du canal.

Les JFET sont généralement utilisés dans les circuits d'amplificateurs à faible bruit, car ils ont une capacité d'entrée très faible et une impédance d'entrée élevée.

Dans un MOSFET, une couche d'oxyde est utilisée pour séparer la porte de la région du canal.

La couche d'oxyde agit comme un isolant et la borne de porte est utilisée pour créer un champ électrique qui contrôle la conductivité du canal.

Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits numériques et analogiques, car ils ont une impédance d'entrée élevée, une faible impédance de sortie et une vitesse de commutation rapide.

Les FET présentent un certain nombre d'avantages par rapport aux autres types de transistors, y compris une impédance d'entrée élevée, une faible consommation d'énergie et une vitesse de commutation élevée.

Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications, y compris dans les amplificateurs, les oscillateurs, les commutateurs et les régulateurs de tension, ainsi que dans les circuits numériques tels que les portes logiques et les cellules de mémoire.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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