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EPITAXIAL Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'EPITAXIAL' - Totale: 143 (7/8) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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IXYS Corporation
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HiPerFREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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53Kb/2P
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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36Kb/2P
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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47Kb/2P
HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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19Kb/1P
HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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HiPerFREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
DSEC60-12A Datasheet pdf image
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HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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HiPerFREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
DSEP30-06CR Datasheet pdf image
21Kb/1P
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)
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HiPer FREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
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Single Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)
VBE100-06NO7 Datasheet pdf image
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Single Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)
L566 Datasheet pdf image
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Three Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)
VBE17-06NO7 Datasheet pdf image
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Single Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)
VBE100-12NO7 Datasheet pdf image
55Kb/2P
Single Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)
VBE20 Datasheet pdf image
61Kb/1P
Single Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)
VUE35-06NO7 Datasheet pdf image
186Kb/2P
Three Phase Rectifier Bridge with Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED)

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Qu'est-ce que EPITAXIAL


Dans les composants électroniques, «épitaxial» est un terme utilisé dans la technologie de fabrication de semi-conducteurs et se réfère à une technologie qui forme une couche de semi-conductrice avec un processus de croissance critique. Cette technologie est utilisée pour améliorer les performances des appareils semi-conducteurs, en particulier dans la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium.

Le dépôt épitaxial est le processus de dépôt d'une ou plusieurs couches supplémentaires au-dessus d'un prototype de semi-conducteur existant. Ce processus est également appelé épitaxie et se fait généralement en utilisant des méthodes telles que le dépôt chimique de vapeur (CVD) ou le dépôt physique de vapeur (PVD).

Le dépôt épitaxial est utilisé à diverses fins:

Performances améliorées: améliore la mobilité et la vitesse des électrons en formant une structure cristalline de meilleure qualité que le matériau de base des appareils semi-conducteurs.

DOPING: Dans le processus épitaxial, des atomes ou des ions spécifiques peuvent être dopés pour donner des propriétés électriques souhaitées.

Amélioration de la stabilité: la couche épitaxiale a la même structure de réseau que le prototype sous-jacent, ce qui le rend plus stable que les couches formées par d'autres techniques.

Intégration de l'appareil: les processus épitaxiaux sont utilisés pour intégrer plusieurs appareils dans une seule puce semi-conductrice en déposant plusieurs couches.

Le dépôt épitaxial est considéré comme une technologie clé dans la fabrication de semi-conducteurs et joue un rôle clé dans l'amélioration des performances et de l'efficacité des appareils semi-conducteurs. Cette technologie constitue la base du développement d'un large éventail de produits dans l'industrie des semi-conducteurs, y compris des microprocesseurs à haute performance, des puces mémoire et des LED.

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