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EPITAXIAL Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'EPITAXIAL' - Totale: 1262 (1/64) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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KEC(Korea Electronics)
KTX311T Datasheet pdf image
56Kb/4P
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE
KTX412T Datasheet pdf image
414Kb/4P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE
KTX312T Datasheet pdf image
827Kb/4P
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE
KTX411T Datasheet pdf image
56Kb/4P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE
KTA1834D Datasheet pdf image
408Kb/3P
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KRA101S Datasheet pdf image
125Kb/6P
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
MMBTA05 Datasheet pdf image
41Kb/2P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KDV348E_0911 Datasheet pdf image
46Kb/2P
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDV1480 Datasheet pdf image
75Kb/2P
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDZ2.0FV Datasheet pdf image
480Kb/4P
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KTC3295 Datasheet pdf image
447Kb/3P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC4666 Datasheet pdf image
45Kb/3P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC4380 Datasheet pdf image
61Kb/3P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KDS112V Datasheet pdf image
67Kb/2P
SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE
KDS4148U Datasheet pdf image
82Kb/2P
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KTA1553T Datasheet pdf image
95Kb/3P
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KRA116 Datasheet pdf image
77Kb/7P
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
2N3904 Datasheet pdf image
56Kb/4P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
2N3904S Datasheet pdf image
416Kb/4P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
2N5550S Datasheet pdf image
39Kb/2P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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Qu'est-ce que EPITAXIAL


Dans les composants électroniques, «épitaxial» est un terme utilisé dans la technologie de fabrication de semi-conducteurs et se réfère à une technologie qui forme une couche de semi-conductrice avec un processus de croissance critique. Cette technologie est utilisée pour améliorer les performances des appareils semi-conducteurs, en particulier dans la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium.

Le dépôt épitaxial est le processus de dépôt d'une ou plusieurs couches supplémentaires au-dessus d'un prototype de semi-conducteur existant. Ce processus est également appelé épitaxie et se fait généralement en utilisant des méthodes telles que le dépôt chimique de vapeur (CVD) ou le dépôt physique de vapeur (PVD).

Le dépôt épitaxial est utilisé à diverses fins:

Performances améliorées: améliore la mobilité et la vitesse des électrons en formant une structure cristalline de meilleure qualité que le matériau de base des appareils semi-conducteurs.

DOPING: Dans le processus épitaxial, des atomes ou des ions spécifiques peuvent être dopés pour donner des propriétés électriques souhaitées.

Amélioration de la stabilité: la couche épitaxiale a la même structure de réseau que le prototype sous-jacent, ce qui le rend plus stable que les couches formées par d'autres techniques.

Intégration de l'appareil: les processus épitaxiaux sont utilisés pour intégrer plusieurs appareils dans une seule puce semi-conductrice en déposant plusieurs couches.

Le dépôt épitaxial est considéré comme une technologie clé dans la fabrication de semi-conducteurs et joue un rôle clé dans l'amélioration des performances et de l'efficacité des appareils semi-conducteurs. Cette technologie constitue la base du développement d'un large éventail de produits dans l'industrie des semi-conducteurs, y compris des microprocesseurs à haute performance, des puces mémoire et des LED.

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