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ENHANCEMENT-MODE Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'ENHANCEMENT-MODE' - Totale: 84 (1/5) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Vishay Siliconix
SI9434DY Datasheet pdf image
45Kb/4P
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Rev. H, 15-Jun-98
SI9420DY Datasheet pdf image
54Kb/4P
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Rev. G, 03-Aug-98
VP0300B Datasheet pdf image
250Kb/4P
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
Rev.C, 21-Jun-99
SI6933DQ Datasheet pdf image
211Kb/3P
Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
12-Oct-01
VN10LE Datasheet pdf image
72Kb/5P
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
Rev. E, 28-Apr-97
IHCM-2321AA-10 Datasheet pdf image
321Kb/3P
Common Mode Choke
IHCM-2321AA-10 Datasheet pdf image
324Kb/3P
Common Mode Choke
01-Jan-2022
ICM-1206 Datasheet pdf image
128Kb/3P
Surface Mount Common Mode Chok
Revision: 06-Nov-15
EMG050J60N Datasheet pdf image
255Kb/12P
Dual Mode PFC, 60 A
Revision: 18-Mar-11
ICM-0805 Datasheet pdf image
48Kb/1P
Surface Mount Common Mode Choke
Revision 08-Apr-03
VS-EMG050J60N Datasheet pdf image
247Kb/12P
Dual Mode PFC, 60 A
Revision: 12-Jun-15
ICM-0805 Datasheet pdf image
130Kb/3P
Surface Mount Common Mode Choke
01-Jan-2022
ICM-1206 Datasheet pdf image
125Kb/3P
Surface Mount Common Mode Choke
01-Jan-2022
ICM-1206 Datasheet pdf image
40Kb/1P
Surface Mount Common Mode Choke
Revision 08-Apr-03
ICM1206 Datasheet pdf image
126Kb/3P
Surface Mount Common Mode Choke
ICM-2824 Datasheet pdf image
78Kb/2P
High Current Common Mode Choke
Revision: 05-Dec-11
ICM1206ER161M Datasheet pdf image
159Kb/3P
Surface Mount Common Mode Choke
Revision: 01-Mar-06
ICM0805ER900M Datasheet pdf image
67Kb/2P
Surface Mount Common Mode Choke
Revision: 19-Apr-10
ICM-1206 Datasheet pdf image
78Kb/2P
Surface Mount Common Mode Choke
Revision: 01-Mar-06
ICM-0805 Datasheet pdf image
78Kb/2P
Surface Mount Common Mode Choke
Revision: 01-Mar-06

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Qu'est-ce que ENHANCEMENT-MODE


En électronique, le «mode d'amélioration» est un terme utilisé pour décrire le mode de fonctionnement d'un type particulier de transistor. Le transistor «amélioration-mode» a une méthode de fonctionnement qui applique un signal électrique à la borne de la porte du transistor pour former un canal et permettre le flux de courant.

Un transistor en mode d'amélioration crée un canal à l'intérieur du transistor en injectant une tension positive dans sa borne de porte. Cela active le transistor, permettant au courant de circuler. Inversement, l'injection d'une tension négative à travers la borne de la porte coupe le transistor et aucun flux de courant.

Les transistors en mode d'amélioration sont généralement constitués d'un MOSFET de type P (transistor à effet de champ métal-oxyde-sémiconducteur) et d'un MOSFET de type N. Également appelée PMOSFET et NMOSFET, respectivement, lorsque la tension appropriée est appliquée, le transistor correspondant est activé pour permettre au courant de passer.

Les transistors en mode d'amélioration sont utilisés dans une variété de composants et de systèmes électroniques, y compris des circuits logiques numériques, des souvenirs de semi-conducteurs, des convertisseurs d'alimentation et des appareils mobiles. Ils sont utilisés pour conditionner les signaux électriques et contrôler la commutation à travers des tensions de fonctionnement ou des courants. Les transistors en mode d'amélioration sont des composants électroniques critiques principalement utilisés dans les applications à haute performance et à faible puissance.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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