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DRAIN Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DRAIN' - Totale: 45 (1/3) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
Toshiba Semiconductor
TC7SG05FE Datasheet pdf image
249Kb/7P
Inverter (Open Drain)
2013-03-01
TC7SZ05F Datasheet pdf image
157Kb/5P
INVERTER (OPEN DRAIN)
TC7SH05FS Datasheet pdf image
177Kb/6P
INVERTER (Open Drain)
2014-03-01
TC7SG05AFS Datasheet pdf image
266Kb/7P
Inverter (Open Drain)
2013-03-01
TC7SH05FE Datasheet pdf image
151Kb/6P
INVERTER (Open Drain)
2009-09-30
TC7SA05F Datasheet pdf image
207Kb/8P
Inverter (Open Drain)
TC7SZ05AFS Datasheet pdf image
158Kb/6P
INVERTER (Open Drain)
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175Kb/7P
Inverter (Open Drain)
TC74AC05F Datasheet pdf image
245Kb/7P
Hex Inverter (open drain)
TC7SH07FS Datasheet pdf image
162Kb/6P
NON-Inverter (Open Drain)
2014-03-01
TC74VHC05F Datasheet pdf image
209Kb/5P
HEX INVERTER (OPEN DRAIN)
TC7PA05FU Datasheet pdf image
184Kb/8P
Dual Inverter (Open Drain)
TC7SH07FE Datasheet pdf image
149Kb/6P
NON-Inverter (Open Drain)
2012-09-20
TC74VHC05F Datasheet pdf image
256Kb/9P
Hex Inverter (open drain)
TC7SG07FE Datasheet pdf image
133Kb/7P
Non-Inverter (Open Drain)
2013-03-01
TC7SG07AFS Datasheet pdf image
266Kb/7P
Non-Inverter (Open Drain)
2013-03-01
TC7WZ05FK Datasheet pdf image
143Kb/7P
Triple Inverter (open drain)
TC74HC05AP Datasheet pdf image
218Kb/5P
HEX INVERTER (OPEN DRAIN)
TC74VHC05F Datasheet pdf image
214Kb/8P
Hex Inverter (open drain)
TC74HC07AP Datasheet pdf image
220Kb/5P
HEX BUFFER (OPEN DRAIN)

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Qu'est-ce que DRAIN


Dans l'électronique, le «drain» est un terme utilisé dans certains dispositifs semi-conducteurs tels que le MOSFET (transistor à effets champs-à l'oxyde de métal-oxyde-semi-conducteur).

Un MOSFET est un dispositif semi-conducteur qui permet au courant de s'écouler en contrôlant la tension et est principalement utilisé pour la commutation et l'amplification. Un MOSFET a trois épingles, dont l'une est la broche «drain». Les deux autres broches sont «Gate» et «Source».

Égoutter (drain): Le drain est la broche de sortie du MOSFET, le courant laissera l'appareil à travers cette broche. La broche de vidange sert à collecter le courant comme la partie où le canal du MOSFET est formé. En règle générale, la connexion électrique se situe entre la broche de vidange du MOSFET et la source d'alimentation ou la charge du circuit.

Porte (porte): la porte est la broche de commande du MOSFET. Lorsque la tension est appliquée à cette broche, elle régule le flux de courant entre le drain et la source en contrôlant la conduction du canal.

Source (source): La source est la broche d'entrée du MOSFET, le courant va dans cette broche. La conductivité du canal change en fonction de la tension appliquée à la porte, et en conséquence, le courant circule entre le drain et la source.

Les MOSFET sont utilisés dans une variété d'applications, principalement dans la conversion de puissance, les circuits de commutation et les circuits d'amplificateur. Le drain joue un rôle important dans le contrôle du fonctionnement du MOSFET. Cela permet au MOSFET d'effectuer diverses fonctions en contrôlant la conduction du canal et en permettant ou bloquant le courant, selon la tension appliquée et la tension appliquée à la porte.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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