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DRAIN Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DRAIN' - Totale: 52 (1/3) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
STMicroelectronics
74VHC05 Datasheet pdf image
53Kb/7P
HEX INVERTER OPEN DRAIN
June 1999
74V1G07 Datasheet pdf image
111Kb/9P
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN)
M54HC05 Datasheet pdf image
227Kb/9P
HEX INVERTER OPEN DRAIN
February 1993
M54HC07 Datasheet pdf image
227Kb/9P
HEX BUFFER OPEN DRAIN
February 1993
STM6315 Datasheet pdf image
185Kb/21P
Open drain microprocessor reset
74VHCT05A Datasheet pdf image
148Kb/8P
HEX INVERTER (OPEN DRAIN)
74V1G05 Datasheet pdf image
49Kb/7P
SINGLE INVERTER OPEN DRAIN
September 1999
74V1G07 Datasheet pdf image
48Kb/7P
SINGLE BUFFER OPEN DRAIN
October 1999
M74HC07 Datasheet pdf image
227Kb/10P
HEX BUFFER OPEN DRAIN
STM6315 Datasheet pdf image
172Kb/21P
Open Drain Microprocessor Reset
74LX1G05 Datasheet pdf image
127Kb/10P
SINGLE INVERTER OPEN DRAIN
74V1T07 Datasheet pdf image
110Kb/9P
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN)
74VHC05 Datasheet pdf image
224Kb/11P
HEX INVERTER (OPEN DRAIN)
74V2G07 Datasheet pdf image
199Kb/9P
TRIPLE BUFFER (OPEN DRAIN)
November 2001
74V1T05 Datasheet pdf image
47Kb/7P
SINGLE INVERTER OPEN DRAIN
September 1999
M74HC05 Datasheet pdf image
168Kb/8P
HEX INVERTER OPEN DRAIN
74VHCT05A Datasheet pdf image
215Kb/11P
HEX INVERTER (OPEN DRAIN)
74V2T07 Datasheet pdf image
93Kb/7P
TRIPLE BUFFER (OPEN DRAIN)
74V1T07 Datasheet pdf image
47Kb/7P
SINGLE BUFFER OPEN DRAIN
October 1999
74V1G05 Datasheet pdf image
111Kb/9P
SINGLE INVERTER (OPEN DRAIN)

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Qu'est-ce que DRAIN


Dans l'électronique, le «drain» est un terme utilisé dans certains dispositifs semi-conducteurs tels que le MOSFET (transistor à effets champs-à l'oxyde de métal-oxyde-semi-conducteur).

Un MOSFET est un dispositif semi-conducteur qui permet au courant de s'écouler en contrôlant la tension et est principalement utilisé pour la commutation et l'amplification. Un MOSFET a trois épingles, dont l'une est la broche «drain». Les deux autres broches sont «Gate» et «Source».

Égoutter (drain): Le drain est la broche de sortie du MOSFET, le courant laissera l'appareil à travers cette broche. La broche de vidange sert à collecter le courant comme la partie où le canal du MOSFET est formé. En règle générale, la connexion électrique se situe entre la broche de vidange du MOSFET et la source d'alimentation ou la charge du circuit.

Porte (porte): la porte est la broche de commande du MOSFET. Lorsque la tension est appliquée à cette broche, elle régule le flux de courant entre le drain et la source en contrôlant la conduction du canal.

Source (source): La source est la broche d'entrée du MOSFET, le courant va dans cette broche. La conductivité du canal change en fonction de la tension appliquée à la porte, et en conséquence, le courant circule entre le drain et la source.

Les MOSFET sont utilisés dans une variété d'applications, principalement dans la conversion de puissance, les circuits de commutation et les circuits d'amplificateur. Le drain joue un rôle important dans le contrôle du fonctionnement du MOSFET. Cela permet au MOSFET d'effectuer diverses fonctions en contrôlant la conduction du canal et en permettant ou bloquant le courant, selon la tension appliquée et la tension appliquée à la porte.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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