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DRAIN Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DRAIN' - Totale: 53 (1/3) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
NXP Semiconductors
74LVC1G07 Datasheet pdf image
67Kb/15P
Buffer with open-drain output
2004 Sep 07
74LVC2G07 Datasheet pdf image
82Kb/13P
Buffers with open-drain outputs
2004 Sep 08
74HC3G07 Datasheet pdf image
80Kb/14P
Buffer with open-drain outputs
2003 Oct 15
74LVC2G07GM Datasheet pdf image
200Kb/18P
Buffers with open-drain outputs
Rev. 7-4 July 2012
74LVC1G07 Datasheet pdf image
354Kb/18P
Buffer with open-drain output
Rev. 11-29 June 2012
74LVC1G06 Datasheet pdf image
89Kb/14P
Inverter with open-drain output
2004 Sep 07
74AHC1G06 Datasheet pdf image
66Kb/16P
Inverter with open-drain output
2000 May 01
74AHC1G07 Datasheet pdf image
77Kb/16P
Buffer with open-drain output
2002 Oct 02
74AHC_AHCT1G07 Datasheet pdf image
140Kb/12P
Buffer with open-drain output
Rev. 7-18 November 2014
74HC3G06 Datasheet pdf image
88Kb/14P
Inverter with open-drain outputs
2003 Dec 02
74LVC2G06 Datasheet pdf image
84Kb/14P
Inverters with open-drain outputs
2004 Sep 10
74LVC1G06 Datasheet pdf image
352Kb/18P
Inverter with open-drain output
Rev. 10-29 June 2012
74HC_HCT3G06 Datasheet pdf image
182Kb/14P
Triple inverter with open-drain outputs
Rev. 4-19 December 2013
NCX2222 Datasheet pdf image
580Kb/18P
Low voltage comparator; open-drain output
Rev. 1-20 December 2012
74LVC3G06 Datasheet pdf image
81Kb/15P
Triple inverter with open-drain output
Rev. 03-01 February 2005
74LVC07A Datasheet pdf image
71Kb/16P
Hex buffer with open-drain outputs
2000 Mar 07
NCX2202 Datasheet pdf image
840Kb/15P
Low voltage comparator; open-drain output
Rev. 5-30 October 2012
74HC_HCT3G07 Datasheet pdf image
185Kb/14P
Triple buffer with open-drain outputs
Rev. 4-16 December 2013
74LVC3G07 Datasheet pdf image
78Kb/14P
Triple buffer with open-drain output
Rev. 03-01 February 2005
74LVC06A Datasheet pdf image
71Kb/16P
Hex inverter with open-drain outputs
2000 Mar 07

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Qu'est-ce que DRAIN


Dans l'électronique, le «drain» est un terme utilisé dans certains dispositifs semi-conducteurs tels que le MOSFET (transistor à effets champs-à l'oxyde de métal-oxyde-semi-conducteur).

Un MOSFET est un dispositif semi-conducteur qui permet au courant de s'écouler en contrôlant la tension et est principalement utilisé pour la commutation et l'amplification. Un MOSFET a trois épingles, dont l'une est la broche «drain». Les deux autres broches sont «Gate» et «Source».

Égoutter (drain): Le drain est la broche de sortie du MOSFET, le courant laissera l'appareil à travers cette broche. La broche de vidange sert à collecter le courant comme la partie où le canal du MOSFET est formé. En règle générale, la connexion électrique se situe entre la broche de vidange du MOSFET et la source d'alimentation ou la charge du circuit.

Porte (porte): la porte est la broche de commande du MOSFET. Lorsque la tension est appliquée à cette broche, elle régule le flux de courant entre le drain et la source en contrôlant la conduction du canal.

Source (source): La source est la broche d'entrée du MOSFET, le courant va dans cette broche. La conductivité du canal change en fonction de la tension appliquée à la porte, et en conséquence, le courant circule entre le drain et la source.

Les MOSFET sont utilisés dans une variété d'applications, principalement dans la conversion de puissance, les circuits de commutation et les circuits d'amplificateur. Le drain joue un rôle important dans le contrôle du fonctionnement du MOSFET. Cela permet au MOSFET d'effectuer diverses fonctions en contrôlant la conduction du canal et en permettant ou bloquant le courant, selon la tension appliquée et la tension appliquée à la porte.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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