DIFFUSED Datasheet(PDF) - U5ZA27C - Toshiba Semiconductor

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DIFFUSED Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DIFFUSED' - Totale: 311 (6/16) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	U5ZA27C	135Kb/4P	TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED-JUNCTION TYPE
	TTD1409B	183Kb/6P	Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type Rev.4.0
	TTD1415B	176Kb/7P	Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type 2015-08-06 Rev.3.0
	CRH01B	312Kb/7P	High-Efficiency Diode (HED) Silicon Diffused Junction 2022-08-05 Rev.1.0
	TTD1410B	153Kb/5P	Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type 2015-08-06 Rev.3.0
	2SD2462	191Kb/3P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	2SC5446	243Kb/5P	Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
	2SD2155	153Kb/2P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	2SC5196	147Kb/2P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	2SC5197	147Kb/2P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	2SD2352	182Kb/3P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	2SD2406	137Kb/3P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	3DZ41	169Kb/3P	SILICON DIFFUSED TYPE (GENERAL PURPOSE RECTFIER APPLICATIONS)
	2SB1640	138Kb/4P	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
	2SC2231	122Kb/3P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS)
	U5ZA48C	114Kb/3P	TOSHIBA Zener Diode Silicon Diffused-Junction Type
	2SC2229	124Kb/5P	Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)
	TVR5B	94Kb/3P	TOSHIBA Fast Recovery Diode Silicon Diffused Type
	U5ZA40C	100Kb/4P	TOSHIBA Zener Diode Silicon Diffused-Junction Type
	1JH46TPA3	253Kb/4P	TOSHIBA FAST RECOVERY RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE

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Qu'est-ce que DIFFUSED

Dans les composants électroniques, diffusé est un terme couramment utilisé dans le processus de fabrication de semi-conducteurs.

Dans le processus de fabrication de semi-conducteurs, diffus fait généralement référence à une technologie qui dissout les impuretés dans un matériau semi-conducteur et provoque une réaction d'oxydation pour créer un dispositif semi-conducteur souhaité.

Ces technologies sont l'un des processus importants pour déterminer les caractéristiques des dispositifs semi-conducteurs.

Par exemple, dans les dispositifs semi-conducteurs utilisant du silicium, la diffusion (une technologie qui provoque une réaction d'oxydation par la fusion) est couramment utilisée pour former une jonction PN (jonction positive négative) à l'intérieur du dispositif.

Cette jonction PN est l'un des composants de base des diodes, des transistors et des circuits intégrés utilisés dans divers composants électroniques, et est un facteur important pour déterminer les caractéristiques électriques des dispositifs semi-conducteurs.

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