DIFFUSED Datasheet(PDF) - OR8GU41 - Toshiba Semiconductor

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DIFFUSED Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DIFFUSED' - Totale: 311 (4/16) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	OR8GU41	132Kb/2P	DIFFUSED TYPE (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS)
	1000GXHH23	101Kb/2P	Fast Recovery Rectifier Silicon Diffused Type
	3000YKD23	119Kb/2P	THYRISTOR SILICON DIFFUSED TYPE (RECTIFIER APPLICATIONS)
	2SD1428	116Kb/3P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
	U5ZA53C	87Kb/3P	Silicon Diffused-Junction Type Zener Diode
	TTA0002	193Kb/5P	Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
	2SD697A	102Kb/3P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MEGA TYPE
	2SD2604	141Kb/5P	Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington)
	2SD1430	49Kb/1P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
	TTC0001	186Kb/5P	Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
	2SC5949	134Kb/4P	Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
	2SD2440	168Kb/3P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITHCING APPLICATIONS)
	2SD648A	98Kb/3P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MEGA TYPE
	2SD1429	49Kb/1P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
	S2818A	42Kb/1P	SILICON NPN TRIPPLE DIFFUSED MESA TYPE
	2SD819	93Kb/2P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
	2SD2131	148Kb/5P	Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington)
	TTC0002	194Kb/5P	Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
	2SC5242	150Kb/2P	NPN TRIPLE DIFFUSED(FOR POWER AMPLIFIER APLLICATIONS)
	2SD2385	139Kb/2P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

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Qu'est-ce que DIFFUSED

Dans les composants électroniques, diffusé est un terme couramment utilisé dans le processus de fabrication de semi-conducteurs.

Dans le processus de fabrication de semi-conducteurs, diffus fait généralement référence à une technologie qui dissout les impuretés dans un matériau semi-conducteur et provoque une réaction d'oxydation pour créer un dispositif semi-conducteur souhaité.

Ces technologies sont l'un des processus importants pour déterminer les caractéristiques des dispositifs semi-conducteurs.

Par exemple, dans les dispositifs semi-conducteurs utilisant du silicium, la diffusion (une technologie qui provoque une réaction d'oxydation par la fusion) est couramment utilisée pour former une jonction PN (jonction positive négative) à l'intérieur du dispositif.

Cette jonction PN est l'un des composants de base des diodes, des transistors et des circuits intégrés utilisés dans divers composants électroniques, et est un facteur important pour déterminer les caractéristiques électriques des dispositifs semi-conducteurs.

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