DIFFUSED Datasheet(PDF) - LS3386 - Siemens Semiconductor Group

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DIFFUSED Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DIFFUSED' - Totale: 51 (3/3) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Siemens Semiconductor G...	LS3386	52Kb/7P	Hyper 3 mm T1 LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED
	LSK389	403Kb/7P	LC ARGUS LED Low current 3 mm T1 LED, Non Diffused
	LH3344	283Kb/7P	3 mm (T1) LED, Non Diffused, Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
	LSGK372	492Kb/8P	Super Multi ARGUS LED High-Current, 3 mm T1 LED, Non Diffused
	LH5464	284Kb/7P	5 mm T1 3/4 LED, Diffused Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
	LHK376	245Kb/6P	Hyper ARGUS LED Hyper-Bright, 3 mm T1, TS GaAIAs LED, Non Diffused
	LH5424	284Kb/7P	5 mm T1 3/4 LED, Non Diffused Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
	BAT64-07W	34Kb/3P	Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications Integrated diffused guard ring)
	BAT64-07	88Kb/4P	Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications Integrated diffused guard ring)
	BAT64	91Kb/3P	Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications Integrated diffused guard ring)
	BAT64-W	69Kb/6P	Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications Integrated diffused guard ring)

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Qu'est-ce que DIFFUSED

Dans les composants électroniques, diffusé est un terme couramment utilisé dans le processus de fabrication de semi-conducteurs.

Dans le processus de fabrication de semi-conducteurs, diffus fait généralement référence à une technologie qui dissout les impuretés dans un matériau semi-conducteur et provoque une réaction d'oxydation pour créer un dispositif semi-conducteur souhaité.

Ces technologies sont l'un des processus importants pour déterminer les caractéristiques des dispositifs semi-conducteurs.

Par exemple, dans les dispositifs semi-conducteurs utilisant du silicium, la diffusion (une technologie qui provoque une réaction d'oxydation par la fusion) est couramment utilisée pour former une jonction PN (jonction positive négative) à l'intérieur du dispositif.

Cette jonction PN est l'un des composants de base des diodes, des transistors et des circuits intégrés utilisés dans divers composants électroniques, et est un facteur important pour déterminer les caractéristiques électriques des dispositifs semi-conducteurs.

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