DIFFUSED Datasheet(PDF) - VF5 - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques

ALLDATASHEET.FR

X

DIFFUSED Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DIFFUSED' - Totale: 46 (1/3) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
New Jersey Semi-Conduct...	VF5	91Kb/1P	Diffused Silicon Junction
	1N2069	129Kb/1P	DIFFUSED-JUNCTION SILICON RECTIFIERS
	2N332	148Kb/1P	NPN Silicon Diffused Transistors
	2N1722	163Kb/1P	Triple Diffused Power Transistors
	1N4383	117Kb/1P	DIFFUSED-JUNCTION SILICON RECTIFIER
	VA-10	93Kb/2P	High Voltage Diffused Rectifiers
	2SC2770	100Kb/1P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE
	2SC510	196Kb/3P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
	2N681	145Kb/1P	DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER
	2SC2315	200Kb/1P	Silicon NPN Triple Diffused Mesa
	2SC2200	144Kb/1P	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
	BY707-1	81Kb/1P	High Voltage Diffused Silicon Rectifiers
	2SC2914	488Kb/2P	SILCON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
	BU508A	878Kb/2P	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR
	1N662	102Kb/1P	GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
	1N659	113Kb/1P	GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
	VF5-5	528Kb/1P	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS
	1N458	101Kb/2P	LOW LEAKAGE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODE
	1N459	88Kb/1P	LOW LEAKAGE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODE
	2N3380	104Kb/1P	P-CHANNEL DIFFUSED SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTOR

1 2 3 >

1 2 3 >

Qu'est-ce que DIFFUSED

Dans les composants électroniques, diffusé est un terme couramment utilisé dans le processus de fabrication de semi-conducteurs.

Dans le processus de fabrication de semi-conducteurs, diffus fait généralement référence à une technologie qui dissout les impuretés dans un matériau semi-conducteur et provoque une réaction d'oxydation pour créer un dispositif semi-conducteur souhaité.

Ces technologies sont l'un des processus importants pour déterminer les caractéristiques des dispositifs semi-conducteurs.

Par exemple, dans les dispositifs semi-conducteurs utilisant du silicium, la diffusion (une technologie qui provoque une réaction d'oxydation par la fusion) est couramment utilisée pour former une jonction PN (jonction positive négative) à l'intérieur du dispositif.

Cette jonction PN est l'un des composants de base des diodes, des transistors et des circuits intégrés utilisés dans divers composants électroniques, et est un facteur important pour déterminer les caractéristiques électriques des dispositifs semi-conducteurs.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

Politique de confidentialité

ALLDATASHEET.FR

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]

À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com