DIFFUSED Datasheet(PDF) - 2SC3866 - Fuji Electric

Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques

ALLDATASHEET.FR

X

DIFFUSED Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DIFFUSED' - Totale: 31 (1/2) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Fuji Electric	2SC3866	160Kb/4P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE
	ET383	109Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE
	ET375	106Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON
	2SC4274	116Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING
	2SD1157	97Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHOING
	ET127	128Kb/3P	TRIPPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINNGTON
	2SC2768	105Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC2944	110Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING
	2SD1118	100Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC3549	129Kb/4P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC3318	109Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC3320	109Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC3318	216Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING
	2SC4276	111Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING
	2SC3551	235Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING
	2SC2656	124Kb/4P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC2625	106Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	ET401R	205Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING
	2SC4242	144Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING
	2SC2626	101Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING

1 2 >

1 2 >

Qu'est-ce que DIFFUSED

Dans les composants électroniques, diffusé est un terme couramment utilisé dans le processus de fabrication de semi-conducteurs.

Dans le processus de fabrication de semi-conducteurs, diffus fait généralement référence à une technologie qui dissout les impuretés dans un matériau semi-conducteur et provoque une réaction d'oxydation pour créer un dispositif semi-conducteur souhaité.

Ces technologies sont l'un des processus importants pour déterminer les caractéristiques des dispositifs semi-conducteurs.

Par exemple, dans les dispositifs semi-conducteurs utilisant du silicium, la diffusion (une technologie qui provoque une réaction d'oxydation par la fusion) est couramment utilisée pour former une jonction PN (jonction positive négative) à l'intérieur du dispositif.

Cette jonction PN est l'un des composants de base des diodes, des transistors et des circuits intégrés utilisés dans divers composants électroniques, et est un facteur important pour déterminer les caractéristiques électriques des dispositifs semi-conducteurs.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

Politique de confidentialité

ALLDATASHEET.FR

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]

À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com