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DIFFUSED Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DIFFUSED' - Totale: 311 (1/16) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
Toshiba Semiconductor
1ZM27 Datasheet pdf image
134Kb/2P
Silicon Diffused Type
TTB001 Datasheet pdf image
203Kb/5P
Silicon PNP Diffused Type
2SA490 Datasheet pdf image
87Kb/2P
SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE
U10LC48 Datasheet pdf image
190Kb/4P
TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE
S5688N Datasheet pdf image
96Kb/3P
TOSHIBA Rectifier Silicon Diffused Type
2SC2793 Datasheet pdf image
211Kb/2P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SD641 Datasheet pdf image
92Kb/3P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SC5459 Datasheet pdf image
141Kb/4P
Silicon NPN Triple Diffused Type
CRG09A Datasheet pdf image
307Kb/7P
Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
1B4B41 Datasheet pdf image
44Kb/2P
SILICON DIFFUSED TYPE RECTIFIER STACK
2N3055 Datasheet pdf image
186Kb/2P
silicon NPN triple diffused type
2SD1408 Datasheet pdf image
105Kb/2P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SB1375 Datasheet pdf image
142Kb/5P
Silicon PNP Triple Diffused Type
0R8GU41 Datasheet pdf image
131Kb/3P
TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE
2SC6034 Datasheet pdf image
180Kb/5P
Silicon NPN Triple Diffused Type
CRG07 Datasheet pdf image
252Kb/4P
TOSHIBA Rectifier Silicon Diffused Type
CRG10A Datasheet pdf image
300Kb/7P
Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
SF10GZ47 Datasheet pdf image
293Kb/5P
TOSHIBA THYRISTOR SILICON DIFFUSED TYPE
2SA1265 Datasheet pdf image
94Kb/2P
SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SC3182 Datasheet pdf image
91Kb/2P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE

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Qu'est-ce que DIFFUSED


Dans les composants électroniques, diffusé est un terme couramment utilisé dans le processus de fabrication de semi-conducteurs.

Dans le processus de fabrication de semi-conducteurs, diffus fait généralement référence à une technologie qui dissout les impuretés dans un matériau semi-conducteur et provoque une réaction d'oxydation pour créer un dispositif semi-conducteur souhaité.

Ces technologies sont l'un des processus importants pour déterminer les caractéristiques des dispositifs semi-conducteurs.

Par exemple, dans les dispositifs semi-conducteurs utilisant du silicium, la diffusion (une technologie qui provoque une réaction d'oxydation par la fusion) est couramment utilisée pour former une jonction PN (jonction positive négative) à l'intérieur du dispositif.

Cette jonction PN est l'un des composants de base des diodes, des transistors et des circuits intégrés utilisés dans divers composants électroniques, et est un facteur important pour déterminer les caractéristiques électriques des dispositifs semi-conducteurs.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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