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RDS ON Fiches techniques, Datasheet

Description trouvée : 'Rds on ' - Totale: 1358 (1/68) Page
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SeCoS Halbleitertechnol...
SSG4502CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 10.0 A, 30 V, RDS(ON) 16 m P-Ch: -8.5A, -30 V, RDS(ON) 23 m
SSG4512CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 6.9 A, 30 V, RDS(ON) 31 m P-Ch: -5.2 A, -30 V, RDS(ON) 52 m
SSG4520H_12 N-Ch: 6.6A, 20V, RDS(ON) 47 m P-Ch: -5.2A, -20V, RDS(ON) 79 mN & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
SST3585_12 3.5A, 20V, RDS(ON) 75m -2.5A, -20V, RDS(ON) 160m N And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
SDN520C N-Ch: 4.5 A, 20 V, RDS(ON) 58 m P-Ch: -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 112 m N & P-Channel Enhancement Mode MOSFET
STT3585_12 3.5A, 20V, RDS(ON) 75m -2.5A, -20V, RDS(ON) 160m N And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
STT6602 N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET

International Rectifier
IRF520NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

Bruckewell Technology L...
MS35C31 Low rDS(on) provides higher efficiency and extends

SeCoS Halbleitertechnol...
SSE90N06-10P_11 90A , 60V , RDS(ON) 9.9 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET

International Rectifier
IRFRU1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A⑤)
IRF5Y1310CM POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.044ohm, Id=18A*)

Kersemi Electronic Co.,...
KSM540 Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)

MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...
SI2301 High dense cell design for extremely low RDS(ON)

International Rectifier
IRHNA9160 TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.087ohm, Id=-38A)
IRF9Z34N Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)

Motorola, Inc
MTD20P03HDL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM

SamHop Microelectronics...
STBP60L60 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

STMicroelectronics
TDA7478 SINGLE CHIP RDS DEMODULATOR

International Rectifier
IRFBC40A Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)

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