MOSFET Datasheet(PDF) - NTR4502P_16

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Qu'est-ce que MOSFET

Le transistor à effets de champ (MOSFET) en oxyde métal-oxyde est un type de dispositif de semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications de haute puissance, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Il s'agit d'un type de transistor à effet de champ (FET), ce qui signifie qu'il fonctionne en contrôlant l'écoulement du courant entre sa source et ses bornes de drain à l'aide d'un champ électrique.

Dans un MOSFET, l'écoulement du courant est contrôlé par un film d'oxyde métallique mince qui agit comme une porte, qui est isolé du reste du dispositif par une fine couche isolante.

La tension de grille contrôle la largeur du canal entre les bornes source et de drain, ce qui détermine l'écoulement du courant à travers le dispositif.

Il existe deux principaux types de MOSFET: le canal n et le canal p. Les MOSFET à canal N ont un canal qui est dopé avec un matériau de type N, tandis que les MOSFET à canal p ont un canal dopé avec un matériau de type P.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages par rapport aux autres types de semi-conducteurs de puissance, notamment une impédance d'entrée élevée, une faible résistance à l'état, des vitesses de commutation rapides et une efficacité élevée.

Ils sont également très polyvalents et peuvent être utilisés dans une variété d'applications, telles que les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Cependant, les MOSFET ont également des inconvénients, y compris une cote de tension limitée et la nécessité d'un circuit d'entraînement de porte pour contrôler l'appareil.

De plus, ils sont sensibles au rodaway thermique, ce qui peut faire échouer l'appareil s'il surchauffe.

Pour atténuer ce risque, les MOSFET sont souvent utilisés en combinaison avec d'autres composants, tels que les dispositifs de protection thermique ou les circuits de snobber.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	NTR4502P	100Kb/5P	Power MOSFET October, 2016 ??Rev. 6
	NTR4503N	97Kb/5P	Power MOSFET October, 2016 ??Rev. 8
	NTTFS4821N	116Kb/6P	Power MOSFET November, 2011 ??Rev. 5
	NTTFS4939N	121Kb/7P	Power MOSFET April, 2012 ??Rev. 3
	NTTFS4941N	122Kb/7P	Power MOSFET November, 2011 ??Rev. 2
	NVATS5A302PLZ	468Kb/6P	Power MOSFET September 2016 - Rev. 0
	NVD5803N	77Kb/6P	Power MOSFET August, 2016 ??Rev. 2
Vishay Siliconix	IRF9Z20	140Kb/7P	Power MOSFET Rev. C, 18-Jan-16
	IRF610S	182Kb/8P	Power MOSFET Rev. D, 20-Jul-15
	IRF730S	173Kb/9P	Power MOSFET Rev. C, 30-May-11
	IRFSL11N50A	345Kb/10P	Power MOSFET Rev. B, 30-May-11
ON Semiconductor	NTMFS4C290N	89Kb/7P	Power MOSFET January, 2016 ??Rev. 1
	NTMFS4C250N	94Kb/7P	Power MOSFET January, 2016 ??Rev. 1
	NTMFS4C05N	84Kb/7P	Power MOSFET November, 2015 ??Rev. 7
	NTLJS4114N	125Kb/6P	Power MOSFET November, 2012 ??Rev. 3
	NTLJS2103P	135Kb/6P	Power MOSFET March, 2011 ??Rev. 3
Shindengen Electric Mfg...	P82F7R5SN	1Mb/4P	Power MOSFET
	F20F60C3M	180Kb/4P	Power MOSFET
	F20W60C3	180Kb/4P	Power MOSFET
	FP20W60C3	179Kb/4P	Power MOSFET

MOSFET Fiches technique, PDF

Qu'est-ce que MOSFET

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