MOSFET Datasheet(PDF) - 2NP06 - Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

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Qu'est-ce que MOSFET

Le transistor à effets de champ (MOSFET) en oxyde métal-oxyde est un type de dispositif de semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications de haute puissance, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Il s'agit d'un type de transistor à effet de champ (FET), ce qui signifie qu'il fonctionne en contrôlant l'écoulement du courant entre sa source et ses bornes de drain à l'aide d'un champ électrique.

Dans un MOSFET, l'écoulement du courant est contrôlé par un film d'oxyde métallique mince qui agit comme une porte, qui est isolé du reste du dispositif par une fine couche isolante.

La tension de grille contrôle la largeur du canal entre les bornes source et de drain, ce qui détermine l'écoulement du courant à travers le dispositif.

Il existe deux principaux types de MOSFET: le canal n et le canal p. Les MOSFET à canal N ont un canal qui est dopé avec un matériau de type N, tandis que les MOSFET à canal p ont un canal dopé avec un matériau de type P.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages par rapport aux autres types de semi-conducteurs de puissance, notamment une impédance d'entrée élevée, une faible résistance à l'état, des vitesses de commutation rapides et une efficacité élevée.

Ils sont également très polyvalents et peuvent être utilisés dans une variété d'applications, telles que les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Cependant, les MOSFET ont également des inconvénients, y compris une cote de tension limitée et la nécessité d'un circuit d'entraînement de porte pour contrôler l'appareil.

De plus, ils sont sensibles au rodaway thermique, ce qui peut faire échouer l'appareil s'il surchauffe.

Pour atténuer ce risque, les MOSFET sont souvent utilisés en combinaison avec d'autres composants, tels que les dispositifs de protection thermique ou les circuits de snobber.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Shenzhen Luguang Electr...	2NP06	1Mb/6P	Complementary MOSFET Revision:20230530-P1
	2N7002	825Kb/2P	Mosfet (N-Channel)
	LGE3M30065B	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M35120Q	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M45170B	4Mb/6P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20230215-P1
	LGE3M60065Q	5Mb/8P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20230215-P1
	LGE3M160120E	1Mb/5P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M18120K	6Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20230302-P1
	LGE3M20120Q	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M30065Q	1Mb/6P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M35065Q	1Mb/3P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20220701-P1
	LGE3M40065Q	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M40120Q	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	CJW1012	723Kb/3P	N-Channel Power MOSFET
	LGE3M50120B	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M80120B	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M160120B	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M28065Q	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M50120Q	2Mb/9P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20170701-P1
	LGE3M14120Q	9Mb/11P	Silicon Carbide Power MOSFET Revision:20230215-P1

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Qu'est-ce que MOSFET

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