MOSFET Datasheet(PDF) - WPM2341 - Will Semiconductor Ltd.

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Qu'est-ce que MOSFET

Le transistor à effets de champ (MOSFET) en oxyde métal-oxyde est un type de dispositif de semi-conducteur de puissance utilisé pour contrôler les applications de haute puissance, comme dans les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Il s'agit d'un type de transistor à effet de champ (FET), ce qui signifie qu'il fonctionne en contrôlant l'écoulement du courant entre sa source et ses bornes de drain à l'aide d'un champ électrique.

Dans un MOSFET, l'écoulement du courant est contrôlé par un film d'oxyde métallique mince qui agit comme une porte, qui est isolé du reste du dispositif par une fine couche isolante.

La tension de grille contrôle la largeur du canal entre les bornes source et de drain, ce qui détermine l'écoulement du courant à travers le dispositif.

Il existe deux principaux types de MOSFET: le canal n et le canal p. Les MOSFET à canal N ont un canal qui est dopé avec un matériau de type N, tandis que les MOSFET à canal p ont un canal dopé avec un matériau de type P.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages par rapport aux autres types de semi-conducteurs de puissance, notamment une impédance d'entrée élevée, une faible résistance à l'état, des vitesses de commutation rapides et une efficacité élevée.

Ils sont également très polyvalents et peuvent être utilisés dans une variété d'applications, telles que les alimentations, les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Cependant, les MOSFET ont également des inconvénients, y compris une cote de tension limitée et la nécessité d'un circuit d'entraînement de porte pour contrôler l'appareil.

De plus, ils sont sensibles au rodaway thermique, ce qui peut faire échouer l'appareil s'il surchauffe.

Pour atténuer ce risque, les MOSFET sont souvent utilisés en combinaison avec d'autres composants, tels que les dispositifs de protection thermique ou les circuits de snobber.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Will Semiconductor Ltd.	WPM2341	2Mb/9P	P-Channel Enhancement Mode Mosfet
	WPM2341A	2Mb/7P	P-Channel Enhancement Mode Mosfet
	WPM2005	1Mb/8P	Power MOSFET and Schottky Diode
	WPM2006	920Kb/8P	Power MOSFET and Schottky Diode
	WPM2005B	2Mb/6P	Power MOSFET and Schottky Diode
	WPM4803	770Kb/7P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	WPM9435	858Kb/6P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	WCM2007	3Mb/11P	N- and P-Channel, 20V, MOSFET
	WCR670N65	1Mb/9P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WNM3011	471Kb/7P	N-Channel, 30V, 5.7A, Power MOSFET
	WNM3034	1Mb/9P	SingleN-Channel, 30V, 19A, Power MOSFET
	WCR380N65	1Mb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WNM3003	445Kb/7P	N-Channel, 30V, 4.0A, Power MOSFET
	WNM2016	851Kb/7P	N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET
	WCR420N65	1Mb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WCR1K2N65	1Mb/9P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WCR250N65	1Mb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	WPM3024	2Mb/8P	Single P-Channel, -30V, -4.4A, Power MOSFET
	WPM3401	1Mb/7P	Single P-Channel, -30V, -4.6A, Power MOSFET
	WPM2015	813Kb/8P	Single P-Channel, -20V, -2.4A, Power MOSFET

MOSFET Fiches technique, PDF

Qu'est-ce que MOSFET

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