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HEMT Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'HEMT' - Totale: 613 (4/31) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Ampleon Netherlands B.V...
CLF1G0035-100 Datasheet pdf image
1Mb/20P
Broadband RF power GaN HEMT
Rev. 6 ??8 January 2016
CLF1G0060-30 Datasheet pdf image
1Mb/19P
Broadband RF power GaN HEMT
Rev. 7 ??5 February 2018
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Mitsubishi Electric Sem...
MGF4941AL Datasheet pdf image
124Kb/6P
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT
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M/A-COM Technology Solu...
MAGX-002731-030L00 Datasheet pdf image
310Kb/7P
GaN HEMT Pulsed Power Transistor
MAGX-002731-180L00 Datasheet pdf image
831Kb/6P
GaN HEMT Pulsed Power Transistor
MAGX-002731-100L00 Datasheet pdf image
381Kb/7P
GaN HEMT Pulsed Power Transistor
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Broadcom Corporation.
ATF-50189 Datasheet pdf image
430Kb/22P
Enhancement Mode[1] Pseudomorphic HEMT
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Hitachi Semiconductor
2SK3001 Datasheet pdf image
107Kb/14P
GaAs HEMT Low Noise Amplifier
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Mitsubishi Electric Sem...
MGF4961B Datasheet pdf image
111Kb/4P
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT
MGF4910E Datasheet pdf image
198Kb/4P
SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT
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Analog Devices
HMC-ALH508 Datasheet pdf image
335Kb/6P
GaAs HEMT LOW NOISE AMPLIFIER,
HMC-ALH382 Datasheet pdf image
391Kb/6P
GaAs HEMT LOW NOISE AMPLIFIER
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M/A-COM Technology Solu...
MAGX-002731-100L00 Datasheet pdf image
381Kb/7P
GaN HEMT Pulsed Power Transistor
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Ampleon Netherlands B.V...
CLF1G0035-50 Datasheet pdf image
1Mb/19P
Broadband RF power GaN HEMT
Rev. 6 ??8 January 2016
CLF3H0035-100 Datasheet pdf image
1Mb/12P
Broadband RF power GaN HEMT
Rev. 1 ??23 December 2021
CLF3H0060-30 Datasheet pdf image
2Mb/29P
Broadband RF power GaN HEMT
Rev. 1 ??20 December 2021
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Mitsubishi Electric Sem...
MGF431XG Datasheet pdf image
33Kb/3P
Super Low Noise InGaAs HEMT
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M/A-COM Technology Solu...
MAGX-002731-030L00 Datasheet pdf image
310Kb/7P
GaN HEMT Pulsed Power Transistor
MAGX-003135-030L00 Datasheet pdf image
908Kb/8P
GaN HEMT Pulsed Power Transistor
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Mitsubishi Electric Sem...
MGF4951A Datasheet pdf image
184Kb/5P
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

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Qu'est-ce que HEMT


HEMT est une abréviation pour le «transistor élevé de mobilité électronique». HEMT est un dispositif semi-conducteur qui peut être contrôlé avec une tension de porte de commande entre la source et le drain. Ces appareils sont particulièrement utiles dans les applications à haute fréquence et sont utilisés dans les amplificateurs de puissance haute fréquence et les circuits logiques à grande vitesse. HEMTS présente une mobilité électronique élevée et une capacité de chargement à courant élevé, ce qui les rend utiles pour maintenir les faibles pertes de circuits de transmission dans des applications à haute fréquence.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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