HEMT Datasheet(PDF) - CGHV1J025D - Cree, Inc

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HEMT Fiches technique, PDF

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Mot-clé recherché : 'HEMT' - Totale: 613 (11/31) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Cree, Inc	CGHV1J025D	763Kb/9P	25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die
Infineon Technologies A...	GTVA261701FA	858Kb/4P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT Rev. 01, 2015-05-29
Analog Devices	HMC-APH473	293Kb/6P	GaAs HEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER
Broadcom Corporation.	ATF-36163	192Kb/10P	1.5??8 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
WOLFSPEED, INC.	CG2H80030D	1Mb/9P	30 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die Rev. 2.0, 2022-7-27
	CG2H80120D	1Mb/8P	120 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die Rev. 0.3, 2022-11-3
	CGH60030D	1Mb/9P	30 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die Rev. 4.2, 2022-12-1
M/A-COM Technology Solu...	MAGX-001214-500L00	833Kb/8P	GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor
Infineon Technologies A...	GTVA221701FA	616Kb/4P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT Rev. 01, 2015-07-27
Cree, Inc	CGH55015F2	1Mb/11P	10 W, C-band, Unmatched, GaN HEMT
	CGH60030D	622Kb/8P	30 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die
	CGH60120D	592Kb/7P	120 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die
	CGHV27030S	3Mb/28P	30 W, DC - 6.0 GHz, GaN HEMT
	CGHV60040D	654Kb/7P	40 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die
Broadcom Corporation.	DEMO-ATF3616-3	192Kb/10P	1.5??8 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
Analog Devices	HMC-APH518	291Kb/6P	GaAs HEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER
	HMC-APH608	291Kb/6P	GaAs HEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER
	HMC-APH462	326Kb/6P	GaAs HEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER
M/A-COM Technology Solu...	MAGX-000912-500L0X	665Kb/8P	GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor
M/A-COM Technology Solu...	MAGX-001090-600L0X	944Kb/9P	GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor

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Qu'est-ce que HEMT

HEMT est une abréviation pour le «transistor élevé de mobilité électronique». HEMT est un dispositif semi-conducteur qui peut être contrôlé avec une tension de porte de commande entre la source et le drain. Ces appareils sont particulièrement utiles dans les applications à haute fréquence et sont utilisés dans les amplificateurs de puissance haute fréquence et les circuits logiques à grande vitesse. HEMTS présente une mobilité électronique élevée et une capacité de chargement à courant élevé, ce qui les rend utiles pour maintenir les faibles pertes de circuits de transmission dans des applications à haute fréquence.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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