HBT Datasheet(PDF) - MMA20312B - Freescale Semiconductor, Inc

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HBT Fiches technique, PDF

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Mot-clé recherché : 'HBT' - Totale: 1096 (11/55) Pages

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Freescale Semiconductor...	MMA20312B	797Kb/15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
United Monolithic Semic...	CHA7012	397Kb/10P	X-band HBT High Power Amplifier
WJ Communication. Inc.	AP501	380Kb/5P	PCS-band 4W HBT Amplifier Module
WJ Communication. Inc.	AP502	389Kb/5P	UMTS-band 4W HBT Amplifier Module
List of Unclassifed Man...	AG503-89	253Kb/6P	InGaP HBT Gain Block Product Information
TriQuint Semiconductor	AH322	447Kb/8P	2W High Linearity InGaP HBT Amplifier
Freescale Semiconductor...	MMG3004NT1	279Kb/20P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
Microsemi Corporation	LX5530	101Kb/2P	InGaP HBT 4.5 - 6.0GHz Power Amplifier
TriQuint Semiconductor	AH118	843Kb/14P	Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier
TriQuint Semiconductor	AH420	683Kb/9P	4W High Linearity InGaP HBT Amplifier
RF Micro Devices	SBB-3082S	706Kb/5P	InGaP HBT Active Bias Gain Block
Analog Devices	HMC589AST89E	256Kb/6P	InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER
SHIKUES Electronics	BFG425W	663Kb/4P	Microwave, low noise, SiGe NPN HBT
NXP Semiconductors	MMG3014NT1	497Kb/16P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 5, 3/2016
	MMG3004NT1	460Kb/21P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 9, 10/2014
	MMG3002NT1	493Kb/15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 12, 9/2014
United Monolithic Semic...	CHV2411AQDG	1Mb/10P	Fully Integrated HBT K-band VCO
Freescale Semiconductor...	MMG3003NT1	410Kb/18P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
Hittite Microwave Corpo...	HMC323	154Kb/6P	HBT DRIVER AMPLIFIER DC - 3.0 GHz
Freescale Semiconductor...	MMG3014NT1	356Kb/17P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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Qu'est-ce que HBT

HBT (transistor bipolaire hétérojonction) est un dispositif semi-conducteur principalement utilisé dans les dispositifs et les circuits électroniques à haute fréquence. HBT est fabriqué à l'aide de deux types de matériaux semi-conducteurs, de type de surface et hétérogènes, qui offrent les avantages d'un fonctionnement à grande vitesse, d'un gain de courant élevé et d'une fréquence de coupure élevée. Ces caractéristiques rendent HBT largement utilisé dans les télécommunications et les champs de communication sans fil.

Les HBT conviennent aux applications à haute fréquence et à grande vitesse, en particulier en tant qu'amplificateurs d'alimentation RF dans les systèmes de communication sans fil. De plus, un gain de courant plus élevé permet une puissance de sortie plus élevée. Pour cette raison, HBT est l'un des principaux composants utilisés dans les téléphones mobiles, les communications par satellite, le radar et d'autres dispositifs de communication sans fil.

Les HBT offrent des performances et une efficacité plus élevées que les transistors hétérogènes traditionnels (BJT) et sont particulièrement utiles dans les applications à haute fréquence et à grande vitesse. Il s'agit d'un élément important dans le domaine des communications, permettant une transmission de données et un traitement des données plus rapides.

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