HBT Datasheet(PDF) - RF3800_07 - RF Micro Devices

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HBT Fiches technique, PDF

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
RF Micro Devices	RF3800	1Mb/12P	GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER
Freescale Semiconductor...	MMG3009NT1	307Kb/15P	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)
	MMG3011NT1	305Kb/15P	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)
	MMG3008NT1	222Kb/12P	Heterojunction Bipolar Transistor(InGaP HBT)
SIRENZA MICRODEVICES	NGA-489	418Kb/5P	InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier
ANADIGICS, Inc	CHP2299	506Kb/20P	WCDMA InGaP HBT Amplifier Module
RF Micro Devices	RF3802	1Mb/12P	GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER
Mitsubishi Electric Sem...	MGFS36E3436A	131Kb/8P	3.4-3.6GHz HBT HYBRID IC
Mitsubishi Electric Sem...	MGFS39E2527A-01	342Kb/20P	2.5-2.7GHz HBT Integrated Circuit
Microsemi Corporation	LX5501B	149Kb/6P	InGAP HBT Gain Block TM
SJM Prewell. All Rights...	PH435	585Kb/6P	High Linearity InGaP HBT Amplifier
Mitsubishi Electric Sem...	MGFS36E2527	78Kb/7P	2.5-2.7GHz HBT HYBRID IC
Mitsubishi Electric Sem...	MGFS38E2527-01	456Kb/21P	2.5 - 2.7GHz HBT MMIC MODULE
NXP Semiconductors	MMG3008NT1	403Kb/14P	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) Rev. 7, 9/2014
Freescale Semiconductor...	MMG3015NT1	264Kb/15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
TriQuint Semiconductor	AH420	562Kb/8P	4W High Linearity InGaP HBT Amplifier
List of Unclassifed Man...	ASG101	188Kb/6P	DC-3000 MHz SiGe HBT Amplifier
Tachyonics CO,. LTD	THM2003J	193Kb/8P	SiGe HBT MMIC Wideband Linear Amplifier
Freescale Semiconductor...	MMG3004NT1	388Kb/21P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
United Monolithic Semic...	CHA8100	260Kb/12P	X-band HBT High Power Amplifier

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Qu'est-ce que HBT

HBT (transistor bipolaire hétérojonction) est un dispositif semi-conducteur principalement utilisé dans les dispositifs et les circuits électroniques à haute fréquence. HBT est fabriqué à l'aide de deux types de matériaux semi-conducteurs, de type de surface et hétérogènes, qui offrent les avantages d'un fonctionnement à grande vitesse, d'un gain de courant élevé et d'une fréquence de coupure élevée. Ces caractéristiques rendent HBT largement utilisé dans les télécommunications et les champs de communication sans fil.

Les HBT conviennent aux applications à haute fréquence et à grande vitesse, en particulier en tant qu'amplificateurs d'alimentation RF dans les systèmes de communication sans fil. De plus, un gain de courant plus élevé permet une puissance de sortie plus élevée. Pour cette raison, HBT est l'un des principaux composants utilisés dans les téléphones mobiles, les communications par satellite, le radar et d'autres dispositifs de communication sans fil.

Les HBT offrent des performances et une efficacité plus élevées que les transistors hétérogènes traditionnels (BJT) et sont particulièrement utiles dans les applications à haute fréquence et à grande vitesse. Il s'agit d'un élément important dans le domaine des communications, permettant une transmission de données et un traitement des données plus rapides.

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