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HBT Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'HBT' - Totale: 57 (1/3) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
Analog Devices
HMC434 Datasheet pdf image
357Kb/6P
SMT GaAs HBT MMIC
HMC589AST89E Datasheet pdf image
449Kb/7P
InGaP HBT GAIN BLOCK
HMC3653LP3BE Datasheet pdf image
521Kb/8P
HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER
HMC3587LP3BE Datasheet pdf image
336Kb/8P
HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER
HMC413QS16G Datasheet pdf image
415Kb/8P
GaAs InGaP HBT MMIC v
HMC313 Datasheet pdf image
309Kb/6P
High Reliability GaAs HBT Process
HMC589AST89E Datasheet pdf image
256Kb/6P
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER
HMC741ST89E Datasheet pdf image
850Kb/8P
InGaP HBT ACTIVE BIAS MMIC AMPLIFIER
HMC454ST89 Datasheet pdf image
619Kb/12P
InGaP HBT WATT HIGH IP3 AMPLIFIER,
HMC452ST89 Datasheet pdf image
1Mb/22P
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER
HMC453QS16G Datasheet pdf image
1Mb/22P
InGaP HBT 1.6 WATT POWER AMPLIFIER
HMC414MS8G Datasheet pdf image
379Kb/8P
GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER
HMC406MS8G Datasheet pdf image
438Kb/8P
GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER
HMC407MS8G Datasheet pdf image
322Kb/6P
GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER
HMC455LP3 Datasheet pdf image
372Kb/6P
InGaP HBT Watt High IP3 AMPLIFIER
HMC789ST89E Datasheet pdf image
736Kb/16P
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER
HMC450QS16G Datasheet pdf image
362Kb/8P
GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER
HMC480ST89 Datasheet pdf image
297Kb/6P
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER
HMC453ST89 Datasheet pdf image
1Mb/22P
InGaP HBT 1.6 WATT POWER AMPLIFIER
HMC326MS8G Datasheet pdf image
1Mb/6P
GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER

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Qu'est-ce que HBT


HBT (transistor bipolaire hétérojonction) est un dispositif semi-conducteur principalement utilisé dans les dispositifs et les circuits électroniques à haute fréquence. HBT est fabriqué à l'aide de deux types de matériaux semi-conducteurs, de type de surface et hétérogènes, qui offrent les avantages d'un fonctionnement à grande vitesse, d'un gain de courant élevé et d'une fréquence de coupure élevée. Ces caractéristiques rendent HBT largement utilisé dans les télécommunications et les champs de communication sans fil.

Les HBT conviennent aux applications à haute fréquence et à grande vitesse, en particulier en tant qu'amplificateurs d'alimentation RF dans les systèmes de communication sans fil. De plus, un gain de courant plus élevé permet une puissance de sortie plus élevée. Pour cette raison, HBT est l'un des principaux composants utilisés dans les téléphones mobiles, les communications par satellite, le radar et d'autres dispositifs de communication sans fil.

Les HBT offrent des performances et une efficacité plus élevées que les transistors hétérogènes traditionnels (BJT) et sont particulièrement utiles dans les applications à haute fréquence et à grande vitesse. Il s'agit d'un élément important dans le domaine des communications, permettant une transmission de données et un traitement des données plus rapides.

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